模拟电子技术教学课件作者第3版胡宴如电子教案ch21课件.pptVIP

半导体三极管及其基本应用 第 2 章 2.1　晶体管的特性与参数 2.1.1 晶体管的工作原理 2.1.2 晶体管的伏安特性 2.1.3 晶体管的主要参数 第 2 章　半导体三极管及其基本应用 2.1.1 晶体管的工作原理 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 二、电流放大原理 1. 晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 第 2 章　半导体三极管及其基本应用 3. 晶体管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少