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- 2016-12-30 发布于江西
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第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第15章 基本放大电路 第15章 基本放大电路 北京工业大学 北京工业大学 * * 1. 在杂质半导体中多子的数量与 (a.掺杂浓度,b.温度)有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 (a.掺杂浓度,b.温度)有关。 3. 当温度升高时,少子的数量 (a.减少, b 不变,c 。增多)。 a b c 4. 在外加电压的作用下, P 型半导体中的电流 主要是 , N 型半导体中的电流主要 。 (a电子电流,b.空穴电流)。 b a 返回 14.2.2 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负、N 区加正电压。 * * 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =-6 V , V2阳=0 V , V1阴 =V2阴= -12 V UD1 = 6V,UD2 = 12V ∵ UD2UD1 ∴ D2 优先导通, D1 截止。 若忽略管压降,
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