平板显示技术：第四章01 TFT液晶显示器的结构与制备.ppt

TFT结构及工艺 * 工艺实现 * 阵列工艺概述 Glass film PR Glass Glass Glass film 成膜 涂胶 曝光 显影 刻蚀 Glass 去胶 镀下一层膜 3PEP 源漏电极 4PEP 钝化及过孔 玻璃 1PEP 栅极 2PEP 有源岛 5PEP 像素电极 制屏 清洗 * *洗净工程技术可分为: 阵列工程前、液晶胞（cell）工程前、液晶胞工程后 * *洗净方式可分为:化学式以及物理式 * 薄膜工艺：溅射与CVD * CVD 溅射 * 光刻工艺 栅线 薄膜 玻璃基板 光刻胶 涂胶 曝光 显影 栅极 紫外光 掩膜版 * 涂胶：就是在基板上涂上一层光刻胶（树脂、感光剂、添加剂、溶剂）。涂胶的方式是旋转基板，用滴管从中间滴下光刻胶，并同时吹入N2，滴下的光刻胶从中间向四周散布涂敷整个基板的过程。 涂胶的方法主要有旋涂、刮涂加旋涂、和刮涂三种 。 涂胶 * 曝光 刻蚀 显影 去胶 * O/S检查：是栅线形成之后的短路和断路检查，以便第一次光刻后的基板经淘汰和添补之后，形成一LOT完好无缺的基板。 阵列终检：是整个阵列的最后一道工序，对阵列的成品进行检查及修复的过程。 检查 * ?例：底栅背沟道刻蚀工艺流程，5次光刻形成TFT图形 Gate Metal Sputter Depositon Gate Metal Patterning Using 1st MASK