CMOS工艺流程与MOS电路版图举例..ppt

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例 1) 简化N阱CMOS工艺演示 氧化层生长 曝光 氧化层的刻蚀 N阱注入 形成N阱 氮化硅的刻蚀 场氧的生长 去除氮化硅 重新生长二氧化硅（栅氧） 生长多晶硅 刻蚀多晶硅 刻蚀多晶硅 P+离子注入 N+离子注入 生长磷硅玻璃PSG 光刻接触孔 刻铝 刻铝 2) 清华工艺录像 N阱硅栅CMOS工艺流程 初始氧化 光刻1，刻N阱 N阱形成 Si3N4淀积 光刻2，刻有源区，场区硼离子注入 场氧1 光刻3 场氧2 栅氧化，开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔) 蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形） 离子注入的应用 N阱硅栅CMOS工艺流程 形成N阱 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层 光刻1，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层