材料物理性能-前言.ppt

以材料为中心，从物性? 现象 ?用途周转循环，巧妙地应用此表征方法能容易做到逐步地改进材料，不断创造出性能更好、更稳定的制品。 Highlights 1：材料物理性能应用举例-燃料电池(fuel cells) Highlights 2-1:半导体材料物理性能及应用介绍（Semiconductor Materials） 材料的物理性质是产品应用的基础，表列出了主要半导体材料的物理性质及应用情况。表中禁带宽度决定发射光的波长，禁带宽度越大发射光波长越短(蓝光发射)；禁带宽度越小发射光波长越长。其它参数数值越高，半导体性能越好。电子迁移速率决定半导体低压条件下的高频工作性能，饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能。 Si与III-V族化合物半导体的区别 带隙宽(Larger Forbidden Gap, Eg)，适于高温器件应用； 载流子迁移率高（Higher Carrier Mobility，μe/ μh ）;适于高频高速应用； 直接跃迁型(Direct Transition)，光电转换效率高。 GaAs的物理性质以及用途 Next generation MOSFET（2）非平面型三栅极MOSFET 发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结,中间的有双异质结构构成的有