修改过模拟电路与数字电路(第2版)集：第2章_半导体器件基础及答案.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 本节内容要求学生一般了解，较难。 * * * * * * 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ?) ICBO 场效应管 1. 分类 按导电沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 增强型 耗尽型 (耗尽型) 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和 输出特性描述 3. 特性 BJT与 FET 的比较参见 表1.12 第 51页 四、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U