实验3 半导体二极管伏安特性的研究.docVIP

  • 74
  • 0
  • 约9.08千字
  • 约 14页
  • 2016-12-30 发布于贵州
  • 举报
实验3 半导体二极管伏安特性的研究 世界上的物质种类繁多,但就其导电性能来说,大体上可分为导体、绝缘体和半导体三类。某些物质,如硅、锗等,它们的导电性能介于导体和绝缘体之间,被称为半导体。半导体之所以引起人们极大的兴趣,原因并不在于它具有一定的导电能力,而在于它具有许多独特的性质。同一块半导体材料,它的导电能力在不同的条件下会有非常大的差别,比如,在很纯的半导体中掺入微量的其他杂质,它的导电性能将有成千上万倍地增加,并且可以根据掺入杂质的多少来控制半导体的导电性能。人们正是利用半导体的这种独特的性质做出了各种各样的半导体器件。 本实验通过对常用的半导体器件—二极管特性的研究,了解PN结的特性、结构和工作原理,并测量二极管的部分参数。 【实验目的】 了解PN结产生的机理和它的作用。 学习测量二极管伏安特性曲线的方法。 通过实验,加深对二极管单向导电特性的理解。 【仪器用具】 HG61303型数字直流稳压电源、GDM-8145型数字万用表、滑线变阻器、FBZX21型电阻箱、C31-V型电压表、C31-A型电流表、FB715型物理设计性实验装置、可调电阻及导线若干、普通二极管、发光二极管、稳压二极管等 【实验原理】 电学元件的伏安特性 在某一电学元件两端加上直流电压,在元件内就会有电流通过,通过元件的电流与其两端电压之间的关系称为电学元件的伏安特性。一般以电压为横坐标,电流为纵坐标作出元

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档