《半导体物理器件Chapter4-.pptVIP

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2016-12-30 发布于北京
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《半导体物理器件Chapter4-.ppt

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引言引言引言 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.1肖特基势垒 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.2界面态对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流-电压特性 4.5肖特基势垒二极管的结构 4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基二极管 4.6 金属-绝缘体-半导体肖特基二极管 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.8肖特基势垒二极管的应用 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结 4.9 欧姆接触：非整流的M－S结二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程) 图4.7 和肖特基二极管正向电流密度与电压的对应关系 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、电流－电压特性(理查森－杜师曼（Richardson-dushman）方程) 使正向I-V曲线延伸至，可以求出参数，可以用它和（4-28）式一起来求出势垒高度。理想化因子对于Si二极管得到，GaAs二极管。可见（4-27）式较好地适用于Si、Ge和GaAs等常用半导体材料作成的肖特基势垒。以上分析说明，肖特基势垒电流基本上是由多子传导的，是一种多子器件。值得指出的是，根据式（4-28），反向电流应为常数，这与实验数据出现偏差。其原因之一是4.3 节中所指出的镜像力作用。把换成，则饱和电流改为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三、少数载流子电流空穴从金属注入到半导体中形成电流。这个电流实际上是半导体价带顶附近的电子流向金属费米能级以下的空状态而形成的。（4-34）（4-35）其中在像硅这样的共价键半导体中要比小的多，结果是热离子发射电流通常远远大于少数载流子电流 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例：一个肖特基势垒二极管，，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设解：由图4-7求得。由方程（4-28）于是 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例：一个肖特基势垒二极管，，计算势垒高度和耗尽层宽度。比较多数载流子电流和少数载流子电流，假设解：时，耗尽层宽度为设，则因此： Evalu