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半导体器件与工艺2004年8月 半导体器件 IC的基础 数字集成电路建库等 模拟集成电路、射频集成电路设计 侧重工作原理、特性分析、模型 半导体器件方面的课程内容 预备知识：半导体物理 半导体器件主要组成模块： PN结—— BJT 金属－半导体接触 MIS结构 —— MOSFET 异质结 超晶格、量子阱等 BJT器件 MOSFET基础：原理、特性、模型 长沟MOSFET 短沟MOSFET 半导体器件方面的课程内容(续) 器件发展趋势 scaling down：roadmap bottom up non-classical MOSFETs 衬底：SOI CMOS器件 栅， S/D， 沟道 新工作机制 主要的半导体材料 元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体 IV族：SiC, SiGe III-V族：GaAs、InP、GaP, InAs II-V族: ZnS, ZnSe, CdS 发展 Ge: 1947-1958, now some research Si: 1962－ III-V族：1970－ 宽禁带半导体： SiC, GaN，1990－ 有机半导体、纳米半导体..….？ 基本导电性 影响导电性的因素 掺杂：杂质的种类和数量 光照等 导电能力的表征 半导体中的载流子 电子摆脱共价键的能量 不同的半导体，电子摆脱束缚需要的能量不同 硅：1.12eV 锗：原子序数32，对价电子的束缚较弱，0. 78eV 化合物半导体 III-V族化合物半导体 共价键结合 每个III族原子周围有4个V族原子，V族原子周围有4个III族原子 V族原子把一个电子转移给III族原子，有一定离子性，结合强度增大 电子脱离共价键束缚需要的能量：1.43eV 电子摆脱共价键的能量 晶体内原子的热运动 常温下，硅中热运动激发产生的电子、空穴很少，对硅的导电性影响很小 光照 常温下硅的导电性 杂质 杂质补偿： 同时有施主、受主 ND－NA ：供导电 基本导电性 影响导电性的因素 掺杂：杂质的种类和数量 光照等 导电能力的表征 半导体中的载流子 导电能力的表征 电导率、电阻率 迁移率 均匀导电材料：电阻或电导来表示导电能力，电场不很强，欧姆定律 杂质：半导体的导电 电流不均匀 微分欧姆定律：j＝?E＝E/? 电导率与杂质浓度的关系 常温下电子无规则运动：不会形成电流 漂移运动：存在电场，由电场作用而产生电子沿电场方向的运动，产生一定定向速度 j=nqv，v是平均速度 单位时间通过单位面积的电荷量 j＝?E＝E/? v＝uE：u为载流子的迁移率 ?＝nqu 与n有关 与u有关 迁移率：导电能力， 载流子运动速度 基本导电性 影响导电性的因素 掺杂：杂质的种类和数量 光照等 导电能力的表征 半导体中的载流子 以电子为例 载流子的统计规律 大量载流子微观运动表现出来 电子的运动方式 稳恒运动，具有完全确定的能量：量子态 相应的能量：能级 量子跃迁 量子态 半导体中的量子态 共价键电子 摆脱共价键后自由运动的电子 掺杂原子可以将电子束缚在周围运动 大量电子在各类量子态中的分布情况：电子的统计分布 原子中电子的量子态和能级 硅原子的14个电子在三层轨道上运动 轨道越高，能量越高 量子态的能量：取一些特定值 两层轨道之间不存在中间能量的量子态 形象表示：能级图 每一量子态所取的确定能量：能级 用高低不同的水平横线来表示 每一个量子态称为一个能级 空能级：电子跃迁 半导体中的能带 电子的共有化运动 轨道交迭：电子可从一个原子转移到相邻的原子上去 原子组合成晶体：电子的量子态发生质的变化，电子穿行于整个晶体的运动 电子只能在能量相同的量子态之间转移 共有化的量子态与原子能级之间存在对应关系 电子摆脱共价键束缚形成一对电子和空穴 电子从价带到导带的跃迁过程 导带增加一个电子、价带增加一个空穴 禁带宽度：摆脱共价键所需的能量 导电的电子：导带中的电子 导电的空穴：填满的价带中出现的空能级，实质是价带中电子的导电 从低向高能级跃迁：吸收能量；反之放出能量 费米能级 费米能级：反映电子填充能带到什么水平：电子统计规律的一个基本概念 从重掺杂P型到重掺杂N型半导体，填进能带的电子逐渐增多，费米能级逐渐增高 费米能级画到能带图中，反映电子填充能带情况，不代表电子的量子态 费米能级以下基本 填满电子 费米能级在禁带中央：本征 费米能级在禁带上半部：N