《半导体制造技术-第十章.pptVIP

半导体制造技术 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 工艺中硅曝露需要的热能称为热预算。半导体工艺的目标之一是尽量降低硅需要的热能。一般通过降温或减少时间使热预算最小。 SiO2膜的原子结构如图所示。它是由一个硅原子被4个氧样原子包围着的四面体单元组成的。是一种无定型的玻璃状结构，具体地说是一种近程有序的网状结构，没有长程有序的晶格周期。 氧化膜的应用 器件保护和隔离 表面钝化(保护) – Screen oxide, pad oxide, barrier oxide 栅氧电介质 掺杂阻挡 金属间的介质层 器件保护和隔离 LOCOS STI LOCOS工艺流程 缺点： 1、鸟嘴侵蚀有源区； 2、不利于后序工艺中的平坦化； 3、杂质重新分布。 改进的LOCOS工艺 回刻的LOCOS工艺 侧墙掩蔽的隔离工艺 多晶硅缓冲层的LOCOS工艺（PBL） 浅槽隔离（STI） STL 不会产生鸟嘴 更平坦的表面 更多的工艺步骤 LOCOS 工艺相对简单，便宜，高产率 当特征尺寸 0.35 um不再适用 表面钝化 Pad Oxide衬垫氧化层 Sacrificial Oxide牺牲氧化层 Barrier Oxide阻挡氧化层 栅氧电介质 高电介质强度 高电阻率 膜厚均匀 无杂质 掺杂阻挡 器件制造过程中的掺杂是定域（有选择的区域）掺杂，那么不需要掺杂的区域就必须进行保护而不被掺杂。如图所示。 金属层间的介质 氧化生长模式 无论是干氧或者湿氧工艺，二氧化硅的生长都要消耗硅，如图所示。硅消耗的厚度占氧化总厚度的0.46，这就意味着每生长1μm的氧化物，就有0.46μm的硅消耗（干、湿氧化略有差别）。 一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。通过一定的理论分析可知，在初始阶段，氧化层厚度(X)与时间(t)是线性关系，而后变成抛物线关系。 晶格方向 因为不同晶向其原子密度不同，所以在相同的温度、氧化气压等条件下，原子密度大的晶面，氧化生长速率要大，而且在低温时的线性阶段更为明显。如图所示。 掺杂 用来制造芯片的硅片都是经过掺杂的，另外在以后的工艺中，还要用热扩散或离子注入工艺完成掺杂。掺杂元素和浓度对氧化生长速率都有影响。列如，高掺杂浓度的硅表面要比低掺杂浓度的硅表面氧化速率快。而且高掺杂浓度的硅表面上的氧化层比在其他层上生长的氧化层的密度低。 另一个对氧化生长速率有影响的是氧化完成后，硅中掺杂原子的分布。 N型掺杂物（P、As、Sb）他们在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度。当氧化层碰到它们时，这些杂质将进入硅中，在硅与二氧化硅之间，就象铲雪机推一个大雪堆一样，结果是，N型掺杂物在硅与二氧化硅之间比在晶体里有更高的密度（称之为二氧化硅的排磷作用）。 当掺杂物是P型材料的硼(B)元素时，就会产生相反的结果。即硼原子被拉入二氧化硅层，导致在SiO2与Si交界处的硅原子被B 原子消耗尽（称之为二氧化硅的吸硼作用） 。 压力效应 由于氧化层的生长速率依赖于氧化剂从气相运动到硅界面的速度，所以生长速率将随着压力增大而增大。高压强迫氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降低温度但仍保持不变的氧化速率，或者在相同温度下获得更快的氧化生长。经验表明，每增加一个大气压的压力，相当于炉体温度降低30℃。这样就可以用增加压力来降低温度而节省成本，并可以解决高温工艺带来的负面影响。 不均匀的氧化率及氧化步骤 经过一些制作工艺后，晶圆表面的条件会有所不同，有的是场氧化区，有些是掺杂区，有些是多晶硅区等等。每个区上面氧化层厚度不同，氧化层厚度的不同被称为不均匀氧化。 不同的氧化率导致了 在晶圆表面形成台阶(见 图)。图中显示的是与比 较厚的场氧化区相邻的氧 化区形成了一个台阶，在 暴露区的氧化反应较快。 高温炉设备 卧式炉 立式炉 快速热处理 RTP优点 减少热预算 硅中杂质运动最小 减少沾污 较小的腔体体积，可以达到清洁的气氛 更短的加工时间 氧化工艺 氧化层质量测量 氧化膜表面状态：目检，聚光灯和显微镜等 氧化膜厚度：光学检测法（比色法、椭偏仪、C-V法等）