新型高效晶硅电池技术(HIT)精选.pptVIP

HIT Solar Cell Technology sevenstar 三洋HIT电池的发展 至2008年世界HIT电池的研究现状 三洋双面HIT电池结构图 晶硅/非晶硅异质结结构 增加开路电压，提高转换效率 HIT电池工艺制程 1.硅片清洗制绒 2.正面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜 3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜 4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜 5.丝网印刷制备电极 HIT电池的优点 HIT电池具有较高的开路电压VOC，三洋规模化生产效率可超过20%。 良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度，在同样的高温下，HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更少。 HIT电池工艺均在200度以下，对于衬底硅材料的要求较低。热能投入少，同时对环境洁净程度要求较低。 全部在线式设备，易于实现自动化 效率可以做到19%，与17%的常规电池效率相比，相当于节省9%的成本 温度特性0.3%/K vs. 0.43%/K，增加4%的能量输出，节省4%的成本。 RR HJT电池的优点 工艺对比 三洋产能增长缓慢 近年三洋的电池产能排名不断降低，到2009年已经跌出前十。相似的垄断技术企业First Solar和SunPower一直保持强劲的增长。 HIT技术难点 非晶硅太阳电池的研究，现在主要着重于改善非晶硅膜本身性质，以减少缺陷密度。严格控制a