半导体材料导论7-1要素.ppt

徐桂英 材料学院无机非金属材料系 * 第7章　半导体材料的应用 半导体材料的应用总的说来可分为两大类，一类是制作半导体器件；一类是作光学窗口、透镜等。 7.1 半导体器件的分类 半导体器件可分为两大类，一类称为分立器件（discrete part），另一类为集成电路（integrated circiut，简称IC）。 分立器件可分为： （1）晶体二极管； （2）晶体三极管； （3）发光二极管； （4）激光管； （5）电力电子器件； （6）电子转移器件； （7）能量转换器件； （8）敏感元件。 集成电路可分为： （1）Si 集成电路； （2）GaAs集成电路； （3）混合集成电路。 其中Si集成电路按其结构又可分为： （1）双极型电路； （2） 金属-氧化物-半导体（MOS）型电路； （3）双极MOS（BiMOS）电路等。 第7章　　半导体材料的应用 各种器件所用的材料及主要原理见表7.1。下面就一些有代表性的器件作一简要的介绍。 表7.1 主要半导体器件所用材料及其工作原理 *由于本书内容的限制，未对这些效应与原理加以说明。 P N （a） V扩 dN dP （b） 图3.6 pn结原理示意图 7.2 晶体二极管 二极管是具有一个pn结，或具有与pn结相类似的肖特基势垒的器件。其原理已在第四章中介绍过。 当这两块半导体结合成一个整体时，如图3.6(b), p 型半导体中有大量的空穴，而n型半导体中有大量的电子，他们向相对方向扩散，但这种扩散并非无休止的，因为这种扩 散打破了边界附近的电中性，空穴进入n型区与电子复合，而失去电子的离子便形成正电势；在p型区则因同样的道理而形成负电势，这样便在边界附近形成了电位差，称为内建势场（电场），或称扩散电势。 这个势场根据同性相斥、异性相吸的原理，会防止空穴与电子的进一步扩散，而达到平衡，这个平衡的电势用V扩表示，这就构成pn结。 图3.6 pn结原理示意图 V扩 （c） V外 V扩 （d） V外 当加上外加电场V外时： 如果正极接到p 型区，负极接到n型区，见图3.6中(c)，因为半导体材料具有一定的电导率，因此电压降的主要部分却落在了阻挡层上，这时外加电场与内建电场相反，于是降低了内建电场，减少了阻挡层的厚度，使电流顺利通过。 而当电场方向相反时，内建电场与外加电场相叠加，见图3.6中(d)，增加了阻挡层的厚度，使电流不能通过。这就是结的整流作用。 当电压方向使pn结导通时，称为正向偏置， 当电压方向使阻挡层加厚时，称为反向偏置。 二极管主要应用于整流与检波。 交流电压加在pn结上时，如使正电压接于p型区，负电压接于n型区时电流就通过，而当电压方向相反时电流就被阻挡，其伏安特性如图7.1。 图7.1 pn结二极管的伏安特性 反向饱 和电流 Vb--击穿电压 I 击穿电流 正向 电流 V 从 图中可以看出当电压为正向偏置时，所获电流为正向电流，可达几千安培，而电压为反向偏置时，通过的电流为几毫安培，或小于1 毫安。 反向电流是由于少数载流子产生的，即在p区有少量的电子，因为在p区主要是空穴，而少量的电子是呈平衡状态的，同样在n区也有少数载流子--空穴。这些载流子落入到阻挡层则被吸引到对方，形成电流，这种电流强度与所加的电压无关，因此在被击穿前是一个常数。 在正常掺杂浓度下，击穿是由于pn结的反向偏置电压高到一定的程度时，少数载流子具有很大的能量，以致发生碰撞电离现象，顿时产生大量的载流子使电流猛增，失去整流的效应。 对用作整流器的二极管而言，耐反向电压是个重要的指标，材料的电阻率愈高，耐压愈高。单个硅的二极管的耐压可达几千伏。 图3.6 pn结原理示意图 V扩 （c） V外 V扩 （d） V外 二极管可用于整流、检波、混频、稳压、参量放大等。所用的材料为硅、锗、硒、砷化镓等。 有的器件在pn结中间加一个高阻层，称i层，这就是pin二极管。例如微波用的碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT）就是这种结构。 利用肖特基势垒的二极管称肖特基二极管。 利用异质结构成的二极管称为异质结二极管。 耿氏器件也有两个端子，但没有pn结也称为耿氏二极管，它是利用电子的导电的转移而产生微波振荡，又称转移电子器件。作这种器件的材料有砷化镓与磷化铟。 太阳光是由不同频率的电磁波所组成的。电磁波的能量可用hn 来表示，其中h为普朗克常数，n为电磁波的频率。当太阳光照到带pn结的半导体表面时，其中hn≥Eg，即能量大于其禁带宽度的光就可以激发价带中的电子，使之形成电子-空穴对 。这些电子与空穴受结内建电场的作用，p区与n区的少数载子可穿过pn结向对方流动，也就是说，p区中的电子流入n区 ，而p区中的空穴则受内建电场的排斥则留p区，n 区的少数载流子空穴也同样流向p区。这样pn结就起了分割载流子的作用