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█极限参数（TA=25℃）
参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 漏源反向电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 600 V 漏源截止电流 IDSS VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃ 10 μA 栅源截止电流 IGSS VGS = ±30V ±100 nA 通态电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=2A 1.77 2.2 ? 栅-源极开启电压 VGS(TH) VDS = VGS, ID = 250μA 2.0 4.0 V 跨导 gfs VDS=50V, ID = 2A 3.1 S
动态特性
参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 输入电容 Ciss VGS = 0V VDS = 25V
f = 1.0MHz 520 670 pF 输出电容 Coss 70 90 反向传输电容 Crss 8 11 栅极电荷 Qg ID =4.4A VDD =480V
VGS = 10V 15 20 nC 栅源电荷 Qgs 3.4 栅漏电荷 Qgd 7.1
开关特性
参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 延迟时间（开启） td(ON) ID = 4.4A
VDD = 300V
RG = 25? 13 15 ns 上升时间 trise 45 100 延迟时间（关断） td(OFF) 25 60 下降时间 tfall 35 80
源漏二极管特性
参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 源漏二极管正向导通电压 VSD IS=4A,VGS=0V 1.4 V
广州友益电子科技有限公司
N-Channel Enhacement Mode Field Effectt Transistor
4N60
参数说明 符号 数值 单位 漏极—源极电压 VDSS 600 V 漏极电流(连续) ID 4 A 漏极电流(脉冲) IDM 17.6 A 栅源电压 VGS ±30 V 耗散功率(TC=25℃) PD 100 W 结温 TJ 150 ℃ 贮存温度 Tatg -55-150 ℃
5-1
2007
G D S
█电参数（TA=25℃）
2007
5-2
图一 安全工作区曲线
图二 PD-TC关系曲线
ID(A)
PD(W)
TC(℃)
VDS(V)
图三 ID-TC关系曲线
图四 典型输出特性曲线
ID(A)
ID(A)
VDS(V)
TC(℃)
2007
5-3
图五 结到管壳热阻
ZθJC
tp(s)
图六 最大峰值电流
IDM(A)
tp(s)
图八 RDS(ON)-VGS曲线
图七 典型传输特性曲线
RDS(ON)( ?)
ID(A)
VGS(V)
VGS(V)
VDS(V)
2007
5-4
图十 RDS(ON)-TJ曲线
图九 RDS(ON)-ID曲线
RDS(ON)
RDS(ON)( ?)
TJ(℃)
ID(A)
图十二 C-VDS曲线
图十一 VGS(TH)-TJ曲线
C(pF)
VGS(TH)
VDS(V)
TJ(℃)
2007
5-5
█ 主要用途
高速开关应用
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