第3章正弦波振荡器-3概述.ppt

第 3 章　正弦波振荡器 3.4.1　石英谐振器的电特性 3.4.2　晶体振荡电路 3.4　晶体振荡器 3.4　晶体振荡器 　　晶体振荡器：采用石英谐振器控制和稳定振荡频率的振荡器。 1．石英晶体的性能与等效电路 　　(1)结构：利用石英晶体(Quartz-Crystal)的压电效应制成的一种谐振器件。 3.4.1　石英谐振器的电特性 频稳度 晶体振荡器：超过 10 -5 LC 振荡器：10 -3 – 10 -5 (2)性能 　　① 晶片有一固有振动频率，与切割方位、形状、大小有关，且十分稳定。 　　将其接到振荡器的闭合环路中，利用其固有频率，能有效地控制和稳定振荡频率。 ② 压电效应：机械与电的相互转换效应。 外加力：两个电极上产生符号相反、数值相等的电荷 外加电压：石英片产生机械形变现象。 　　③ 振动特性：具有多谐性，除基频(Fundamental Frequency)振动外还有奇次谐波的泛音(Overtones)振动。 (3)等效电路： C0：静态电容和支架引线分布电容之和； Lq1、Cq1、rq1：晶体基频等效电路； Lq3、Cq3、rq3：晶体三次泛音等效电路 ? ? ? 　　 (Lq 很大、Qq 很大、Cq 很小且数值极其稳定) 实用上，保证只有一个频率点振动，能用基频的尽量用基频（幅度大）；当频率大于15MHz以上一般用泛音（机械强度好）。 2．电抗特性和两个谐振频率 可证：忽略 rq 时，晶体两端呈现纯电抗，其值近似为 讨论： 　　(1)在 ?s ~ ?p 之间为正值，呈感性；其他频段内为负值，呈容性 　　(2)在 ?s 上 Xcr = 0 ，为串联谐振；在 ?p 上 Xcr ? ?，为并联谐振。 　　因为 C0 Cq，所以 ?p 很靠近 ?s ，例 5 MHz 的晶体 小结： 晶体两个谐振频率：fs、fp ,且fs fp。 ① 工作于 fs ~ fp 之间为高 Q 电感。 ② 工作于 fs 上，相当于短路。 在振荡电路中，晶体只能工作于上述两种方式，否则频稳度下降。 3．负载电容CL（并接在晶体两端） 作用：微调频率，提高频率准确性。∵使Co’=Co+CL, fp’更靠近fs。晶体的标称频率就是并接CL后的fp’。 3.4.2　晶体振荡电路 一、并联型晶体振荡电路 ——晶体起电感作用 1．电路(皮尔斯-Pirece)——晶体接在c,b极之间 RB1、RB2 和 RE ： 分压偏置电路， LC：高频扼流圈， CB： 旁路电容， CC：耦合电容。 2．原理 　　电容三点式，且由等效电路，它与 Clapp 电路十分相似(Cq 类似于C3 )。振荡频率≈晶体的标称频率。 3．频率准确度微调 　　实际与标称频率往往有偏差，若要求准确度高，须设频率微调。 4．提高频稳度的措施 (2)恒温槽 　　将晶体或振荡器置于恒温槽内，槽内温度控制在晶体拐点温度(在该温度范围内，晶振温度系数为 0)附近。频稳度可达 10-10 数量级。 (1)微调电容 如图中C4。 (3)变容管的温度补偿电路 ① 电路 　　T1 —— Pirece 晶体振荡电路；T2,T3 —— 放大 ② 原理 　　温度控制电路中，热敏元件使 Vi 反映了温度的变化，作用到变容二极管，使其电容改变，补偿因温度引起振荡频率的变化。设： T↑→ fosc↓ T↑→ Rt1↓→vCj↑→Cj↓→ fosc↑ fosc↓ 5．泛音晶体振荡电路 —— 基波和低次泛音的抑制 (1)电路 将 Pirece 电路中 C1 用 LC1 谐振回路取代。 (2)原理 　　假设取五次泛音晶体，标称频率 5 MHz，为了抑制基波和三次泛音的寄生振荡，LC1 应调谐在 三次和五次泛音之间，例如 3.5 MHz。 　　在 5MHz 频率上，LC1 呈容性，满足电容三点式； 　　对基频、三次泛音， LC1 呈感性，性组成法则不满足； 　　对高于七次以上泛音，虽LC1 呈容性，但分压比 n 过大，不满足起振条件。 二、串联型晶体振荡电路 ——晶体起短路线作用 1．电路 1 　　当 f = fs 时，晶体串联谐振，等效为短路元件，T1、T2管和外接晶体构成正反馈放大器，满足相位平衡条件，且反馈最强，满足起振条件。 谐振频率 —— fs 　　f ? fs 时，晶体呈高阻抗，反馈显著减弱，不能满足振幅和相位起振条件，所以这种振荡器的振荡频率受晶体串联谐振频率的控制，具有很高的频稳度。 2．电路 2 　　晶体串联谐振，等效为短路元件，电路符合三点式组成法则，为电容三点式电路。 　　偏离串联谐振，晶体阻抗迅速增大，电路不能振荡。 　　振荡频率取决于晶体的串联谐振频率。 　　为提高频稳度，可将 L、C1、C2、C3 回路调谐在串谐频率