半导体陶瓷与敏感电子材料综述.pptVIP

二、色 敏 传 感 器 半导体色敏传感器的基本原理 半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管的组合， 故又称光电双结二极管，其结构原理及等效电路如图所示。 为了说明色敏传感器的工作原理，有必要了解光电二极管的工作机理。 半导体色敏传感器结构和等效电路图 对于用半导体硅制造的光电二极管，在受光照射时，若入射光子的能量hυ大于硅的禁带宽度Eg，则光子就激发价带中的电子跃迁到导带而产生一对电子-空穴。这些由光子激发而产生的电子-空穴统称为光生载流子。光电二极管的基本部分是一个ＰＮ结，产生的光生载流子只要能扩散到势垒区的边界，其中少数载流子就受势垒区强电场的吸引而被拉向对面区域，这部分少数载流子对电流作出贡献。多数载流子（P区中的空穴或N区中的电子）则受势垒区电场的排斥而留在势垒区的边缘。 1. 光电二极管的工作原理 当PN结外电路短路时，这个光电流将全部流过短接回路， 即从P区和势垒区流入N区的光生电子将通过外短接回路全部流到P区电极处，与P区流出的光生空穴复合。因此，短接时外回路中的电流是IL，其方向由P端经外接回路流向N端。这时，PN结中的载流子浓度保持平衡值。 当PN结开路或接有负载时，势垒区电场收集的光生载流子便要在势垒区两边积累，从而使P区电位升高，N区电位降低， 造成一个光生电动势。它相当于在PN结上加了正向偏压。只不过这是由光照形成，而不是电源馈送的， 这称为光生电压， 这种现象就是光生伏特效应。 光在半导体中传播时的衰减是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果，这种吸收光子的过程称为本征吸收。硅的本征吸收系数随入射光波长变化的曲线如图所示。由图可见，在红外部分吸收系数小，紫外部分吸收系数大。这就表明， 波长短的光子衰减快，穿透深度较浅，而波长长的光子则能进入硅的较深区域。 吸收系数随波长的变化 对于光电器件而言，还常用量子效率来表征光生电子流与入射光子流的比值大小。其物理意义是指单位时间内每入射一个光子所引起的流动电子数。根据理论计算可以得到， P区在不同结深时量子效率随波长变化的曲线如图所示。图中xj即表示结深。浅的PN结有较好的蓝紫光灵敏度，深的PN结则有利于红外灵敏度的提高， 半导体色敏器件正是利用了这一特性。 量子效率随波长的变化 在图中所表示的P＋-N-P不是晶体管，而是结深不同的两个PN结二极管，浅结的二极管是P＋N结；深结的二极管是PN结。 当有入射光照射时，P＋、N、P三个区域及其间的势垒区中都有光子吸收，但效果不同。如上所述，紫外光部分吸收系数大， 经过很短距离已基本吸收完毕。在此，浅结的即是光电二极管对紫外光的灵敏度高，而红外部分吸收系数较小，这类波长的光子则主要在深结区被吸收。因此，深结的那只光电二极管对红外光的灵敏度较高。 2. 半导体色敏传感器工作原理 这就是说，在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有不同的灵敏度。这一特性给我们提供了将这种器件用于颜色识别的可能性，也就是可以用来测量入射光的波长。将两只结深不同的光电二极管组合，就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。 在具体应用时， 应先对该色敏器件进行标定。也就是说，测定不同波长的光照射下该器件中两只光电二极管短路电流的比值ISD2/ISD1。ISD1是浅结二极管的短路电流，它在短波区较大；ISD2是深结二极管的短路电流，它在长波区较大，因而二者的比值与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定的曲线，实测出某一单色光时的短路电流比值， 即可确定该单色光的波长。 光谱特性 半导体色敏器件的光谱特性是表示它所能检测的波长范围， 不同型号之间略有差别。下图a给出了国产CS—1型半导体色敏器件的光谱特性，其波长范围是400~1000nm。 3.半导体色敏传感器的基本特征 半导体色敏器件特性 （a） 光谱特性; （b） 短路电流比—波长特性 短路电流比—波长特性是表征半导体色敏器件对波长的识别能力，是赖以确定被测波长的基本特性。 2. 短路电流比—波长特性 (3) 温度特性 由于半导体色敏器件测定的是两只光电二极管短路电流之比， 而这两只光电二极管是做在同一块材料上的，具有相同的温度系数， 这种内部补偿作用使半导体色敏器件的短路电流比对温度不十分敏感， 所以通常可不考虑温度的影响。 * * * * * * * * * * * * * * 半导体陶瓷 半导体瓷：ρV＜106Ω?cm 半导体瓷：传感器用，作为敏感材料，电阻型敏感材料为主： ρV或ρS对热、光、电压、气氛、湿度敏感，故可作各种热敏、光敏、压敏、气敏、湿敏材料。 1. BaTiO3半导体瓷 a. PTC热敏电阻瓷