第二章 物理基础讲述.ppt

直接复合 电子-空穴对的产生与复合均存在于导带与价带之间 Ec Ev Gth Rth 间接复合 通过中间能态(复合中心)而发生于复合过程中的各种跃迁。 电子俘获 (a) 电子发射 (b) 空穴俘获 (c) 空穴发射 (d) 之前 之后 Ec Et Ev Ec Et Ev Ra Rb Rc Rd 如图显示半导体表面的键。由于晶体结构在表面突然中断，因此在表面区域产生了许多局部的能态，或是产生-复合中心，这些称为表面态的能态，会大幅度增加在表面区域的复合率。 表面复合 概念 ： 通过半导体表面态进行的复合现象。 产生机理 ： 介绍从单原子能级到晶体多原子周期性排列能带的产生 * 注意举例 * 间接复合的产生机制：对间接禁带半导体而言，如硅晶，直接复合过程极不可能发生，因为在导带底部的电子对于价带顶端的空穴有非零的晶格动量。若没有一个同时发生的晶格交互反应，一个直接跃迁要同时维持能量及动量守恒是不可能的，因此通过禁带中的局域能态所进行的间接跃迁便成为此类半导体中主要的复合过程，而这些能态则扮演着导带及价带间的踏脚石。 * 太阳能电池材料及技术 信息材料与纳米技术研究院 材料科学与工程学院 授课内容 第一章 发 展 史 第二章 物 理 基 础 第三章 工作原理及表征参数 第五章 薄膜太阳电池 第