原创力文档 试卷五
填空题（每题2分，共20分）
⒈二极管的伏安关系可近似表述为公式：
当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是：
⒉在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由 产生，少数载流子由 产生。
⒊利用二极管的 特性可以制成稳压管。利用二极管在 偏置时的 电容效应可制成变容二极管。
⒋耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为：
当该类型FET的沟道预夹断时，与满足方才： 。
⒌当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时，基区有效宽度的变化是
，共射直流电流放大系数的变化是 。
⒍图1所示放大器的静态=，=。当输入信号增大时，首先出现的削波失真应为 失真，若改变来消除这种失真，应使其 。
图1
⒎
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