第1章习题解答2.ppt

第一章 第一章常用半导体器件 2010年9月 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 *（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） *（2）因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. （ ） *（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） #（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） #（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 *（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 *（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. *（3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 . # A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 # A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 #六、(1.9)电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V试问：1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为： 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 *（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体 ，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 *（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 #（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 #（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 #（补充作业）1.16 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V,β=50。试分析VBB为0.1V、1V、5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值 解：（1）当VBB＝0.1V时，T截止, IB=0, IC=0, uO＝VCC-ICRC=VCC=12V #1.17(1.11) 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：临界饱和时UCES＝UBE=0.7V #（补充作业）1.18 电路如图所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时,uO＝？当uI＝－5V时,uO＝？ 解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 #1.19(1.12) 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 * 习题解答 √ √ √ × × × A A、C C C B 工作在放大区，所以输出电压UO＝UCE＝2V。 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以： A C A C A #1.13(1.10) 有两只晶体管，一只的β＝250，ICEO＝180μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 解：选用β＝100、ICEO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。 （2）