第二章 电力电子器件.讲述.ppt

第二章 电力电子器件概述 2.1 简 介 2.2 功率二极管 2.3 晶闸管 2.4 可控开关的理想特性 2.5 双极结型晶体管和达林顿管 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 2.7 门极可关断晶闸管（GTO） 2.8 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.9 MOS控制晶闸管（MCT） 2.10 可控开关的比较 2.11 驱动和吸收电路 2.12 半导体功率器件的选择 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 IGBT在开通时为正向偏置，其安全工作区称为正偏安全工作区FBSOA 。 IGBT在关断时为反向偏置，此时的安全工作区称为反偏安全工作区RBSOA。 5 安全工作区 IGBT具有耐脉冲电流冲击能力。导通时间越长，发热越严重，安全工作区越小。反偏安全工作区与电压上升率duCE/dt有关，duCE/dt越大，反偏安全工作区越小。 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 IGBT的输入阻抗高，可达109~1011Ω数量级，呈纯电容性，驱动功率小。 6 输入阻抗 IGBT的最高允许结温TJM为150℃。IGBT的通态压降在室温和最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性。 7 最高允许结温TJM 下 页 上 页 返 回 第二章 电力电子器件概述 2.9.1 MOS控制晶闸管的基本特性 K P-MCT G A K G A N-MCT 0 u