《2016-硅微条探测器.pptVIP

硅微条探测器Silicon Strip Detector 祝成光 2004年3月15日星期一 硅微条探测器的位置分辨率可好于1.4μm, 这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。 硅微条探测器的特点 随着半导体技术的迅速发展，半导体粒子探测器也有了很大的发展。其中, 硅微条探测器SMD ( Silicon Micro strip Detector) 的发展和应用是非常突出的一个。 近十几年来, 世界各大高能物理实验室几乎都采用它作为顶点探测器：ATLA S 和CM S 作为探测粒子径迹的径迹室( tracker)。在核医学领域的CT 和其它数字化图像方面的应用研究, 也有了很多新的进展。 非常好的位置分辨率 这是硅微条探测器最突出的特点。它的位置分辨率是目前应用的各种探测器中最高的,目前可做到1. 4μm。 主要因为固体的密度比气体大100 倍左右, 带电粒子穿过探测器, 产生的电子2空穴对(e-h) 的密度非常高, 大约为110e-h/μm。 另外由于现代半导体技术工艺, 光刻技术及高集成度低噪声读出电子学的飞速发展, 每个读出条可对应一路读出电子学, 更有利于空间分辨率的提高。 很高的能量分辨率 半导体探测器的能量分辨率比气体探测器大约高一个数量级, 比闪烁计数器高得更多。 这是因为在硅半导体中电离产生一对电子2空穴对(e-h) 只需要3eV左右的能量, 而气体中产生一对离子对所需能量大约为30eV , 塑料闪烁探测器在光阴极上产生一个光电子需要的能量大约为300eV。带电粒子在硅半导体中的能量损失也很高, 在硅晶体中, 能量损失大约390eV/μm 。因此, 同样能量的带电粒子在半导体中产生的电子2空穴对数要比气体中产生的离子对高一个数量级以上。这样电荷数的相对统计涨落也比气体小很多。 很宽的线性范围 由于在一定能量范围内, 半导体的平均电离能与入射粒子的基本能量无关, 故半导体探测器具有很好的线性, 很宽的线性范围。 非常快的响应时间 在半导体探测器中, 由于采用微电子工艺的半导体探测器很薄, 它的电荷在很小的区域里收集, 响应时间非常快, 一般可达到5n s 左右。因此, 可以实现高计数率, 可超过108/cm2·s。 体积可做得很小 由于硅半导体密度大, 有一定的刚度, 它可以做得很薄并能自身支持, 典型的厚度是300μm 左右, 当带电粒子穿过时, 大约可产生3. 2×104 电子-空穴对。有的还可做得更薄, 整个探测器可以作得很小。 硅微条探测器的缺点 对辐射损伤比较灵敏, 如果受到强辐射其性能将变差。但各国科学家就此问题从技术上正在进行不断地改进提高。 硅微条探测器 的结构和工作原理 从探测器横截面上看, 主要分这样几个部分: 探测器表面: 有薄铝条, SiO2隔离条, 铝条下边是重掺p+条。 中间部分: 是厚度大约为300μm 的高阻n 型硅基, 作为探测器的灵敏区。 底部: 是n 型硅掺入砷(As) 形成重掺杂n+ 层和铝薄膜组成的探测器的背衬电极。 微条(strips)是探测器的信号读出条, 它的宽窄和间距将影响探测器的空间分辨率。 保护环(Guard rings)在探测器的四周, 起到屏蔽保护作用, 使探测器降低了噪声, 提高了抗辐射能力。 多晶硅偏压电阻(Poly-silicon bias resistors)是集成在硅片上的, 它对于每个微条起保护作用，可以降低漏电流, 从而降低噪声。 偏压连接带(Bias trace)是连接偏压电源到每一个微条的连接带。 直流接触片(DC contact pad)是作直流耦合输出的接触点。 交流接触片(AC contact pads)是交流耦合输出的接触点, 一般信号读出是通过它们连到前置放大器的。 硅微条探测器的等效电路图。 Cs为两个相邻微条之间的电容， Cb为每个微条与探测器背面之间电容， Cp为信号交流耦合输出的隔直电容， Cfb为电荷灵敏前置放大器的反馈电容， R p 为多晶硅偏压电阻, 图中的每个p－n 结相当于每一根读出微条微结构。 硅微条探测器是在一个n 型硅片的表面上, 通过氧化和离子注入法, 局部扩散法, 表面位垒法及光刻等技术工艺制作成的。 其表面是均匀平行的附有一层铝膜的重搀杂p+微条。n 型硅片的整个底面掺入杂质后, 制成n 型重搀杂n+层, 其外层也附有一层铝, 作为电极接触。这样制成了表面均匀条形的pn结型单边读出的探测器。 中间部分的耗尽层是探测器的灵敏区, 当在这些条型pn结加上负偏压时, 耗尽层在外加电场的作用下, 随着电压升高而变厚。当电压足够高, 耗尽层几乎扩展到整个n- 型硅片, 基本达到了全耗尽, 死层变得非常薄。因为其内部可移动的载流子密度很低, 电阻率很高, 漏电流非常小(好的硅微条探测器漏电流小于10