1光催化在环境污染治理与新能源领域中的应用试题.ppt

染料废水：是目前难降解的工业废水之一，其毒性大，色泽深，严重危害了生态环境。 2.1 光催化剂概述 金属(复合)氧化物光催化剂活性比较 2.1 光催化剂概述 (1)、TiO2基材料改性： A、金属离子掺杂： 在TiO2晶格中引入新电荷、形成缺陷或改变晶格类型，影响光生载流子的运动状况、调整其分布状态或改变能带结构，导致活性发生改变。 过渡离子掺杂：过渡元素金属存在多个化合价，少量掺杂即可在其表面产生缺陷或改变其结晶度，成为光生载流子的浅势捕获阱，使TiO2呈现出p-n型光响应共存现象，延长电子与空穴复合时间降低复合概率。 稀土、碱土元素离子掺杂 (2)、层状铌酸盐、钽酸盐、钛酸盐等： (3)、多元硫化物： (4)、复合半导体 层间插入CdS复合物光催化反应的电子迁移模型 近年主要发展了半导体与层状钙钛矿催化剂或大比表面多孔性光惰性物质复合。 如：ZrO2/MCM-41, 光分解产氢速率比复合前提高2.5倍。Inter. J. Hydro.Energy, 2002, 27: 859。 2001年研制出InMO4(M=Ta、Nb、V)可见光响应的催化剂。 表面负载NiO后，能够分解水同时放出氢气和氧气。用少量Ni取代其中的In，使其结构发生极微小的改变，光催化活性大幅度提高。 用402 nm波长的光进行照射产氢效率为0.66%。据介绍，如果应用纳米技术改进催化剂的结构尤其是表面结构，可将水的分解效率提高百倍。 InMO4 （M＝V,Nb,Ta) 的能级图 B、染料敏化半导体 B、染料敏化半导体 B、染料敏化半导体 提出天线效应及其光电化学行为研究，未见效率报道 R. Abe, et al, J Solar Energy Eng, 2005, 127: 413 Degussa P25是70:30％锐钛矿-金红石混合物，其约100 nm大小的团聚体的BET表面积是55±15 m2g-1，微晶尺寸是30 nm。 研究表明：金红石相的光催化活性比锐钛矿相TiO2的小很多， 然而其他的研究者发现金红石对某些物质具有更高的选择活性。如：退火金红石(T≥800℃)在4-氯酚氧化中表现出光学活性。 且Domenench等的研究工作也表明：金红石TiO2在氧化-CN的光催化活性实际上优于锐钛矿相。 在光还原HCrO4-时Degussa P25是比锐钛矿相更好的催化剂。 3.2、纳米TiO2的改性 3.2、纳米TiO2的改性 3.2、纳米TiO2的改性 3.2、纳米TiO2的改性 非金属元素掺杂包括F、N、C、S和B等，主要为C和N掺杂。 N元素掺杂可以扩展TiO2吸收光谱，提高其可见光催化活性。 2001年Asahi等在N2/Ar体积比为2:3气氛中溅射TiO2靶，制备出N掺杂TiO2膜后，N等非金属掺杂引起人们广泛研究兴趣。 对C4+，N3-，F-，P3-，S2-取代锐钛矿型TiO2中氧的理论计算表明，N的2p能与O的2p轨道杂化，致使材料的禁带变窄；S2-掺杂虽然也有同样的效应，但其离子半径较大，难以对O2-发生取代。 Khan等在CO2, H2O和O2高温气氛中得到n-型掺杂C的金红石TiO2膜，在波长小于535 nm范围内有吸收，当光强为40 mW/cm2时，最大光解水效率和光电转换效率分别为11%和8.35%。 Sang等人通过溶胶-凝胶法制备了B掺杂TiO2，负载铂后表现出很高的光解水活性。 3、调整光催化剂的晶型和粒径 4、表面贵金属负载 5、与其他半导体材料复合与固载 5、与其他半导体材料复合与固载 几种简单的氧化物和硫化物半导体有足够的带隙能量去激发或催化大量的环境污染物。如：WO3(Eg=2.8 eV), SrTiO3(Eg =3.2 eV), α-Fe2O3(Eg=3.1eV)，ZnO(Eg=3.2 eV)和ZnS (Eg = 3.6 eV)。 对于有机物降解来说，好的半导体的主要的判断标准是H2O/?OH (Eo=-2.8V)电对电势在物质的带隙内并且他们能够稳定存在。 1、ZnO 作为重要的半导体光催化剂，禁带宽度为3.2 eV，在波长小于387 nm的紫外光照射下可以产生光生电子－空穴对，表现出较高的光催化活性。 与TiO2相比，它的成本更低，因而其应用研究也日益受到人们的重视。 粒径为5-12 nm的纳米ZnO，在紫外光照射下可以降解三氯乙烯，且其光活性远远大于亚微米的ZnO。 ZnO看起来是TiO2合适的替代物，然而ZnO分散后表面会产生Zn(OH)2，这样时间一长会导致催化剂失活。 2、其他金属氧化物 氧化铁(α-Fe2O3，α-FeOOH，β-FeOOH，γ-FeOOH，δ-FeOOH)的多晶型结构，尽管禁带宽度较高且价廉，但它们易受到光阴极腐蚀而影响其活性和寿命，因而不是最佳光催化材料。 钙钛矿复合氧