电工与电子技术基础（第2版）教学课件作者覃斌第七章课件.pptVIP

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2017-01-02 发布于广东
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电工与电子技术基础（第2版）教学课件作者覃斌第七章课件.ppt

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二、美国半导体分立器件型号命名方法表F-3　硅塑封整流管的主要参数符号意义符号意义符号意义符号意义Ｃ符合国家标准ＴＴＴＬ电路Ｃ０～７０℃ Ｆ H HTL电路 G -２５～７０℃ Ｂ塑料扁平 E ECL电路 L -２５～８５℃ Ｈ黑瓷扁平 C CMOS电路Ｅ -４０～８５℃ Ｄ多层陶瓷双列直插 M 存储器Ｒ -５５～８５℃ Ｊ黑瓷双列直插 μ 微型机电路 M -５５～１２５℃ Ｐ塑料双列直插 F 线性放大器 S 塑料单列直插 W 稳压器 K 金属菱形 B 非线性电路 T 金属圆形 J 接口电路 C 陶瓷片状载体 AD A/D转换器 E 塑料片状载体 DA D/A转换器 G 网格阵列 D 音响、电视电路 SC 通讯专用电路 SS 敏感电路 SW 钟表电路二、美国半导体分立器件型号命名方法表格类别通用型专用型 Ⅰ型 Ⅱ型 Ⅲ型高阻型高精度型宽带型低功耗型高速型国内外型号ＣＦ７０２Ｆ００２Ｆ７０９Ｆ００４Ｆ７４１Ｆ００７Ｆ３１３０ＡＦ７２５Ｆ５０７ＫＦ２５３ＡＦ７１５ μＡ７０２（FSC） μＡ７０９（FSC） μＡ７４１（FSC）ＣＡ３１３０（RCA） μＡ７２５（FSC）ＡＤ５０７（ANA） μｐO２５３（NEC） μＡ７１５（FSC）二、美国半导体分立器件型号命名方法表格电源电压范围Ｖ ±１２，-６ ±１５ ±１５５～１６或±２．５～±１８ ±１５ ±１５ ±（3～１８） ±１５开环差模增益ｄＢ７１１０～１００８０～８６１１０１３０１０４１１０９０共模抑制比ｄＢ１００７６～８６９０９０１２０１００１００９２最大差模输入电压Ｖ ±５ ±３０ ±８ ±１４ ±１２ ±３０ ±１５二、美国半导体分立器件型号命名方法表格最大共模输入电压Ｖ＋０．５，-０．４ ±６ ±１２ -０．５～＋１２ -５～＋２ ±１１ ±１５ ±１２最大输出电压Ｖ ±４．０ ±１０ ±（8～12）１３．３ ±１２ ±１３．５ ±１３输入失调电压ｍＶ０．５２～１０２～１０２０．５１．５１．０２．０的温漂ｄ／ｄｔ μＶ/℃ ２．５１０２０～３０１０２．０８３二、美国半导体分立器件型号命名方法表格输入失调电流ｎＡ１８０１００～５００１００～３０００．５×１２．０１５４７０的温漂ｄ/ｄｔｎＡ/℃ ３．０３１３５×１０．２输入偏置电流ｎＡ２０００２００３０～２００５×１４２１５２０４００差模输入电阻ＭΩ ０．０４０．０１～０．２１．５×１１．５３００６１输出电阻 Ω ２００＜４００ ≤２００７５１５０７５二、美国半导体分立器件型号命名方法表格 -３ｄＢ宽带ＢＷＨｚ３０００７单位增益带宽ＧＢＷＭＨｚ３０１１５３５１转换速率Ｖ／μs ５０．５３０３５７０静态功耗ｍW ９０２００１２０８００．６１６５二、美国半导体分立器件型号命名方法表I-1　KP型晶闸管的型号及常见参数通态正向平均电流/A 断态正反向重复峰值电压，／Ｖ门极触发电压／Ｖ门极触发电流／mA ＫＰ１１５０～１６００ ≤２．５ ≤２０ＫＰ５５１００～２０００ ≤３．０ ≤６０ＫＰ１０１０１００～２０００ ≤３．０ ≤１００ＫＰ２０２０１００～２０００ ≤３．０ ≤１００ＫＰ５０５０１００～２４００ ≤３．０ ≤２００ＫＰ１００１００１００～３０００ ≤３．５ ≤２５０二、美国半导体分立器件型号命名方法表I-1　KP型晶闸管的型号及常见参数ＫＰ２００２００１００～３０００ ≤３．５ ≤２５０ＫＰ５００５００１００～３０００ ≤４．０ ≤３５０ＫＰ８００８００１００～３０００ ≤４．０ ≤４５０ＫＰ１０００１０００１００～３０００ ≤４．０ ≤４５０二、美国半导体分立器件型号命名方法表I-2　KP型晶闸管通态平均电压组别型号ＫＰ１ＫＰ５ＫＰ１０ＫＰ２０ＫＰ３０ＫＰ５０ＫＰ１００ＫＰ２００ＫＰ３００ＫＰ４００ＫＰ５００ＫＰ６００ＫＰ８００ＫＰ１０００二、美国半导体分立器件型号命名方法表I-2　KP型晶闸管通态平均电压组别正反向重复峰值电压/V １００　２００３００　４００５００６００７００８００９００１０００１２００１４００１６００１８００２０００２２００２４００２６００２８００３０００二、美国半导体分立器