电力电子器件教案.ppt

4.3 绝缘栅双极晶体管 电力MOSFET属于多子导电，无电导调制效应，当要提高阻断电压时，其导通电阻将迅速增加，以至于使功率管无法正常工作。所以，电力MOSFET在同样的管芯面积下，随着耐电压的提高，电流容量下降的很厉害。例如FQP85N06型MOSFET为60V85A(25°)，而同样尺寸的MOS管FQP5N90，电压为900V，而电流容量只有5A。为克服这个缺点，在电力MOSFET中的漏极侧引入一个PN结，在正常导通时，有效电阻成几十倍地降低，可大大提高电流密度，这样就产生了新的器件—IGBT。 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT） ?GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性 ?1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件 ?继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位 4.3 IGBT的结构和工作原理 IGBT是三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1 ——使IGBT导通时由P