第5章集成电路元器件及其SPICE模型精选.ppt

集成电路设计技术与工具 第五章 集成电路元器件及其SPICE模型 基本要求 掌握集成电阻、集成电容和集成电感等无源器件的SPICE模型， 掌握二极管的电路模型和噪声模型， 掌握双极型晶体管EM模型和GP模型， 掌握MOS场效应晶体管的MOS1模型和BSIM模型， 了解模型参数的提取方法和基本原理 内容提要 5.1 引言 5.2 集成无源元件及其SPICE模型 5.3 二极管及其SPICE模型 5.4 双极型晶体管及其SPICE模型 5.5 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 5.6 模型参数提取技术 5.7 本章小结 5.1 引 言 从电路的观点来看，集成电路可以认为是由元器件组成的。 所谓元件（Element）是电阻、电容和电感等结构简单，性能可用一个简单方程描述的单元。而器件（Device）是晶体管类结构相对复杂，性能要用多个方程才能描述的单元。从某种意义上说，器件可以由多个元件构成。 器件可以由多个元件构成。 在设计电路的时候需要非常准确地预测出电路的性能。为了做到这一点，需要对电路尽可能地进行精确的性能分析（Analysis）。因为集成电路元器件无法用实物构建，必须首先建立器件模型，然后对用这些元器件模型所设计的集成电路进行以分析计算为基础的电路仿真（Simulation）。 5.2 集成无源器件及其SPICE模型 集成电路元器件可以分为无源和有源两类。无源元件包括电阻、电容、电感、互连线、传输线等，有源器件就是各类晶体管。 前面的章节已经介绍了在集成电路设计中起着决定性作用的有源器件的工作原理和制造工艺。事实上，利用这些工艺，可以同时实现大部分结构的无源元器件。 下面将对电阻、电容和电感等基本无源元器件的集成实现形式及其数学描述加以介绍。 一、集成电阻 SPICE程序中有专用的语句定义电阻元件R，其主要参数为：电阻值R0和电阻温度系数。高频应用时，电阻等效模型还需要考虑其寄生电容和寄生电感值。 下面首先介绍集成电阻的制造方法，然后讨论其版图几何图形设计、阻值计算、温度系数以及高频等效电路模型。 集成电阻的类型 与标准集成电路工艺技术兼容的制造电阻的方法很多，但阻值和精度不同。 常见的集成电阻有： 多晶硅电阻、掺杂半导体电阻、N阱（或P阱）电阻、和合金电阻等。 1）多晶硅电阻 与CMOS，BiCMOS等硅基集成电路的制造工艺兼容。 被厚道氧化物包围，其阻值取决于掺杂浓度。 MOS柵极的多晶硅：重掺杂； 多晶硅电阻：轻掺杂。 2）掺杂半导体电阻 掺杂半导体具有电阻特性，且不同的掺杂浓度具有不同的电阻率。 根据掺杂方式：扩散电阻和离子注入电阻。 扩散电阻是指对半导体进行热扩散掺杂而形成的电阻：工艺简单（优点）；精度差（缺点）。 离子注入电阻结构与扩散电阻类似，精度高。 集成电阻的类型 3）阱电阻 阱电阻有N阱或P阱电阻两种。阱电阻的阻值大但精度差。 4）合金电阻 常用的合金材料有：钽（Ta）、镍铬（Ni-Cr）、氧化锌（SnO2）和铬硅氧（CrSiO）。 具有较低的温度系数和较大的电流承载能力，且 精度较高。 集成电阻的几何图形设计 1）几何形状 选择电阻形状的依据： 一般电阻采用窄条结构，精度要求高的采用宽条结构；小电阻采用直条形，大电阻采用折线形。 在光刻工艺加工过程中，由于过于细长的条状图形容易引起变形，同时考虑到版图布局等因素，对于高阻值的电阻通常采用弯折形的几何图案结构。 由于在拐角处的电流密度不均匀将产生误差，所以，高精度电阻也常采用长条电阻串联的形式。 集成电阻的阻值计算 集成电阻的高频双端口等效电路 二、集成电容器 在集成电路中，有多种电容结构： 1）金属-绝缘体-金属（MIM）结构； 2）多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构； 3）金属叉指结构 4）PN结电容； 5）MOS电容。 这些结构的电容可以是有意设计的电容元件，也可能是不可避免的寄生电容。 平板电容 SPICE程序中定义的电容元件C是以平板电容为标准的，主要参数为：电容值C0、电容温度系数与高频寄生参数。 集成电路中可以采用多种材料结构的平板电容。最标准的是金属-绝缘体-金属（MIM）结构，其他包括金属-绝缘体-多晶硅结构和金属-绝缘体-重掺杂半导体结构等。 金属叉指结构电容 PN结电容 利用PN结电容的优点也是不需要额外的工艺，但所实现的电容有一个极性问题。 所有的PN结电容都是非线性的，电容值是两端电压的函数。 在大信号线性放大器中，PN结电容的非线性会引起电路的非线性失真。 任何PN结都有漏电流和从结面到金属连线的体电阻，因而，结电容的品质因数通常比较低。 结电容的参数可以采用二极管和晶体管结电容同样的方法进行计算，其SPICE模型直接运用相关二