专升本《微电子器件与IC设计》_试卷_答案..docVIP

专升本《微电子器件与IC设计》 一、 （共1题,共1分） 1. 电阻率小于的材料称为（ ）。 （2分） A.导体 B.绝缘体 C.半导体 .标准答案：A 2. 半导体硅材料的晶格结构是（ ）。 （2分） A.金刚石 B.闪锌矿 C.纤锌矿 .标准答案：A 3. 施主杂质电离后向半导体提供（ ）。 （2分） A.空穴 B.电子 C.空穴与电子 .标准答案：B 4. 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ ）。 （2分） A. .标准答案：A 5. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为，同时掺有浓度为的磷，空穴浓度为（ ）。（已知:室温下） （2分） A. B. C. .标准答案：C 6. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（ ），（已知:室温下） （2分） A. B. C. .标准答案：C 7. 载流子的漂移运动产生（ ）电流。 （2分） A.漂移 B.隧道 C.扩散 .标准答案：A 8. 平衡状态下半导体中载流子浓度载流子的产生率等于复合率，而当时，载流子的复合率（ ）产生率。 （2分） A.大于