霍尔传感器特性研究及其应用.docVIP

实验十二 霍尔传感器特性研究及其应用 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这个现象是霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。霍尔效应不仅是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔传感器已被广泛应用于非电量电测、自动控制和信息处理。 【实验目的】 了解霍尔效应原理及以及研究霍尔传感器的特性。 学习用“对称测量法”消除霍尔传感器副效应的影响。 学会测定霍尔传感器的导电类型，会计算载流子浓度和迁移率。 【实验原理】 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被束缚在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累。从而形成附加的横向电场。对于图12-1所示的霍尔传感器，若在x方向通以电流，在Z方向加磁感应强度为B的磁场，则在Y方向即A、A/两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向决定于材料的导电类型。显然，该电场阻止载流子继续向侧面移动，当载流子所受的横向电场力eEH和洛仑兹力evB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 e EH =e = e v B (12-1) 其中EH称为霍尔电场，v是载流子在 电流方向上的平均漂移速度。 设霍尔传感器的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则 I = n e v b d (12-2) 由（12-1）.（12-2）两式可得 （12-3） z y IS x A` A` + + + + + + + + + — — — — — — i -e +e i IS b EH I FB EH FB d _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + C L A C A 图12-1. 霍尔效应原理图 即霍尔电压（点A与A/之间的电压）与I、B的乘积成正比，与样品厚度d成反比。比例系数称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，其大小是由材料本身的性质决定的。只要测出(V),以及知道、和d（m）可按下式计算。 （12-4） 根据可进一步确定以下参数： 1. 由的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。 判断的方法是按图12-1所示的I和B的方向，若测得的0 (即点A的电位低于点A/的电位)则RH为负，样品属N型，反之则为P型。 2. 由RH求载流子浓度n (1/m3) （12-3）式中n =是假定所有载流子都具有相同的漂移速度而得到的，考虑载流子的速度统计分布，需引入3的修正因子。即 n = （12-5） 3. 求电导率σ(1/Ω.m) 电导率σ可以通过图12-1所示的A、C电极进行测量，设A、C电极间的距离为L，样品的横截面积为S=b.d, 流经样品的电流为I，在零磁场下，若测得A、C之间的电位差，可由下式求电导率 σ= （12-6） 4.求载流子的迁移率μ(m2/CΩ) 载流子的迁移率μ与电导率σ及载流子浓度n之间有如下关系 μ== （12-7） 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键