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多晶硅生产工艺多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺
多晶硅材料是电子工业的基础材料。主要应用于两个方面:半导体产业和太阳能电池产业,按纯度分,可以分为电子级和太阳能级。电子级10个”9”,电路集成级11个”9”,太阳能级8-9个”9”.2007年以来受光伏产业带动,世界多晶硅产能、产量飞速发展。中国多晶硅产量及产能成倍地翻番。
表1-1 2008年前 世界多晶硅产量表/吨
2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 产量 产量 产量 产量 产量 产能 产能 产能 Hemlock(美) 5300 5100 5300 7000 7700 10000 14500 19000 Tokuyama(日) 3500 3600 4000 4800 5600 6000 6400 7000 Wacker(德) 3700 4000 4200 4600 5600 6600 10500 14500 三菱(美) 875 1065 1170 1210 1250 1250 1550 1550 三菱(日) 1050 1300 1300 1400 1600 1600 1600 1600 Sumitomo住友 550 700 700 700 800 900 1050 1050 MEMC(意) 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 MEMC(美) 800 1500 1500 2200 2700 2700 4300 8000 Asimi(挪威) 2800 2050 2100 2400 3000 6500 13500 13500 SGS(挪威) 150 1900 2200 2700 (REC) (REC) (REC) 其他 550 1630 4210 23300* 合计(产量) 19575 20465 23170 27510 32000 38030 41810 43900 *包括中国5000吨,俄罗斯5000吨,物理法5000吨。 (数据来源:《中国太阳能光伏进展》)
表2-1 世界多晶硅产量及产能表/吨
2008 2009 2010 2012 2012 2013 2013 产量 产量 产量 产能 成本 产能 成本 Hemlock(美) 19000 1900000 29000 46000 17.5 46000 16 Tokuyama(日) 7000 7000 9200 9200 25 17200 20 Wacker(德) 14500 145000 30000 52000 19 52000 17 三菱(美) 1550 1550 1550 1550 1550 三菱(日) 1600 1600 1600 1600 1600 Sumitomo住友 1050 1050 1050 1050 1050 MEMC(意) 1000 1000 1000 1000 1000 MEMC(美) 8000 8000 8000 9425 22 9425 20 Asimi(挪威) 13000 13500 16500 SGS(挪威) REC) (REC) (REC) 21500 18.5 21700 16.2 其他 18500 23500 GCL(中国) 2500 15000 21500 65000 18 65000 16.5 OCI(韩国) 35000 42000 19.5 65000 18 合计 43900 8.5万万REC)00 16 万 24万 29万 其他含俄罗斯5000t,德国JSSI 1000t.法国PPT荷兰和挪威Norsun3000t.西班牙2500t.美国夏威夷Hoku 1500t等不含中国企业
2010年全球多晶硅产量16万t我国产量4.5万t.
2011年全球多晶硅产量24万t.我国产量8.4万t.
2012年全球多晶硅产能38.5万t产量24万t我国产能20万t.产量7万t.
预计2013年全球多硅产能40.5.万t.产量26-30万t.
国外产能20.5万t电子级5万t太阳能级15.5万t.设备利用率大于85%,
我国产能20万t.产量8-10万t.几乎全是太阳能级, 设备利用率不到50%.
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表2-1 中国多晶硅产量及产能表/吨
2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 产能 产能 产能 产能 产能 产能 产能 产能 洛阳中硅 300 1000 3000 3000 6000 1万 1万/30 1万/ 东气峨半 200 200 700 1000 2000 5000 5千/34 5000
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