高纯锗探测器与其他探测器课件.pptVIP

第五节：其他探测器 1.锂漂移硅探测器 2.化合物半导体探测器 3.位置灵敏探测器 5.1锂漂移硅探测器 5.1.1 锂的漂移特性及P-I-N结 1) 间隙型杂质——Li Li电离能很小 ～0.033eV，常温下由于热运动即可电离，Li电离成Li＋，为施主杂质，在Li端形成N区，之后Li＋在电场作用下的漂移，其过程如下： Li＋漂移速度 当温度T 增大时，?(T)增大，Li+漂移速度增大。 Li＋在电场作用下的漂移 Li＋的半径比Si和Ge半导体晶格间距小得多 在电场作用下，Li＋可以很容易穿过Si和Ge半导体晶格，漂移深入半导体内部 Li＋会和半导体材料中的B-中和 Li＋ 的补偿作用，提高了电阻率，增大了结区 2) P-I-N结的形成 基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。 (1) 一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。 (2) 另一端表面蒸金属，引出电极。 外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如B-)中和，并可实现自动补偿形成 I 区。 (3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。 P N+ Intrinsic Semi Front metallization Ohmic back contact To positive bias voltage 由硅作为基体的探测器称为Si(L