《3.热氧化工艺.pptVIP

5、影响氧化速率的因素 (1) 温度对氧化速率的影响： (2) 氧化气氛对氧化速率的影响： (3) 氧化剂气压对氧化速率的影响： 当氧化剂气压变大时，氧化反应会被加速进行。 (4) 硅片表面晶向对氧化速率的影响： 由于Ks取决于硅表面的密度和反应的活化能， 而111的硅表面原子密度较高，Ks相对较大； 所以111的氧化速率比100快。 温度 ? ? B和B/A ? ? 氧化速率 ? C*(H2O气氛) C*(O2气氛) H2O氧化速率远大于O2 氧化速率 B ? C* ? PG Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图4.5 高压水汽氧化中的抛物线和线性速率系数(引自Razouk等人文献，经电化学协会准许重印) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ■ 杂质的增强氧化效应 高浓度衬底杂质一般都倾向于提高氧化速率 注意：杂质的增强氧化不仅 造成硅片表面