固体物理复习提纲..docVIP

请给出1维单原子链晶格振动的运动方程，并由此推导出频率-波矢关系。 书p58页4.1.3推导过程见书p58页一维单p58页4.1.7和一维双61页4.2.9 声频支4.2.10光频支4.2.11 声频波情况原胞中两个原子是沿同方向振动。在长波极限情况，声频波中原胞中两个原子是一同运动，振幅，位相都没有差别。在短波极限时声频波中较轻的原子静止不动，只有重原子在做振动，而且相邻原胞重原子的运动方向是相反的。 长波极限时光频波中原胞中两个原子运动始终保持质心位置不变。短波极限时光频波中的原胞中重原子是静止不动，只有轻原子振动，相邻原胞轻原子的运动方向相反。能量本征值书p66页4.3.17，本征函数4.3.18，平均数目4.3.20格波频率较低的称为声频支格波，格波频率较高的称为光频支格波。在3维晶体中有3支声频波，3r-3支光频波，r为原胞内原子个数。格波总模式数等于晶体原子自由度总数目3rN比热公式书p76页4.7.7高温晶格比热是一常量，与温度无关，也与物质元素无关。 爱因斯坦修正公式书77页4.7.13 内能78页4.7.23，比热4.7.24书p81，晶体的物态方程4·8·8，膨胀系数：4.8.13热导率书p83，4.9.6。 c是材料单位体积的比热，v是声子气的方均根速率，l为材料长度。依赖关系p84 肖特基缺陷的形成原因：这种空位是晶体内部格点上的原子或离子通过接力运动移到表面格点位置后在晶体内所留下的空位 弗兰克尔缺陷形成的原因：如果晶体内部格点上的原子或离子移到晶格间隙位置形成间隙原子，同时在原来格点位置上留下空位，于是晶体中将存在等浓度的晶格空位和填隙原子。 它们在热平衡时缺陷数目表达形式为：书p88～91 菲克第一定律书p91的5.2.1菲克第二定律同页的5.2.3机制：换位机制，填隙机制，空位机制，扩展缺陷机制，书p93页。 考虑自由电子，波函数p109页6.1.2，电子的能量6.1.3,电子的能态密度6.1.11 分布函数书p111页6.1.12，费米能：6.1.16,费米能大小：一般金属的费米能大小约为几个电子伏大小。金属钠的费米面是球面。金属铜银金为不规则形状说明：晶格正离子实产生的周期场起重要作用。 比热公式简写p114的6.1.35,γT是电子的贡献，bT3次方是晶格的贡献。电子比热系数：113的6.1.34。含义是：表明在电子气的量子理论中由于电子在能态中分布受泡利原理限制，只有费米面以内大约kBT范围里的电子有机会受热激发跃迁到费米面以外的空状态。(这部分电子数与总电子数目之比为kBT/EF,这个比值在室温的数量级是10—3。正好与实验结果符合，又给出ce与温度T成线性关系。)看书，问老师！ 经典物理中金属的电导过程；金属中自由电子在外加电场作用下加速，同时电子又受到来自同金属离子碰撞而表现为阻尼力，阻尼力的大小与速度成正比。达到电流稳定时，电场力和阻尼力相平衡，电子达到其在电场中获得的稳定速度，即附加的漂移速度，它与电场成正比，从而解释欧姆定律。 电子收到的阻力：来源于电子受到来自同金属离子碰撞而表现为阻尼力。 量子物理中： 电阻率：p118页6.2.29剩余电阻率是杂质和缺陷对电子的散射引起的电阻率，与温度无关。本征电阻率是晶格振动或声子对电子散射引起的电阻率，依赖于温度。关系看119页并问老师 简述紧束缚近似模型的思想和主要结论。 简述导带中的电子在外场作用下产生电流的原因。 何为本征半导体？其能带结构有何特征？何谓直接带隙半导体？何谓间接带隙半导体？Si是那一类半导体？GaAs是那一类？ 所谓本征半导体，实际上指除去存在晶格振动外，不存在任何杂质和缺陷等不完整性的半导体。其能带结构原则上类似于绝缘体，价带为满带，只是价带与导带之间的禁带宽度较绝缘体为小。导带底与价带顶均位于波矢为0的位置称为直接带隙半导体。导带底在?轴上接近第一布里渊区边界，与价带顶不在k空间的同一点，成为间接带隙半导体。硅是间接带隙半导体，砷化镓是直接带隙半导体 施主杂质，何谓受主杂质？N型半导体是如何获得的？ 在半导体中，何谓多数载流子？何谓少数载流子？在N型半导体中，多数载流子是什么？少数载流子是什么？ 在半导体中，什么是深能级杂质？它一般有什么作用？会导致什么后果？ 深能级杂质相应的电离能可与禁带宽度相比拟，甚至接近禁带宽度，以至施主杂质能级反离价带顶较近，而受主杂质能级离导带底较近。 作用：1、深杂质能级可以俘获导带中的电子与价带中的空穴而使之束缚在杂质原子附近，所以这类深能级称为载流子的陷阱。 2、如果一个深能级杂质原子同时俘获了一对电子、空穴，这一对载流子便会在杂质原处复合消失，称这类深能级杂质为载流子的复合中心 导致的后果：