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常温下,人们根据自然界中物质的导电性能的优劣将其分成三类: 第一类是导电性能良好的物质,如铜、铁、铝等金属,称之为导体。 第二类是几乎不导电的物质,如橡胶、玻璃、陶瓷等,称之为绝缘体。 第三类是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅、锗、硒等,称之为半导体。半导体的应用十分广泛,主要是制成有特殊功能的元器件,如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件等。 负载上的直流电流Io为 半波整流后,负载上脉动电压平均值只有变压器次级电压有效值的45%,电压利用率是比较低的,其根本原因是输出波形中纹波成分较大。 2.负载上的直流电压Uo和直流电流Io的计算 输出电压uo(t)在一个周期内的平均值为 3.整流二极管参数的计算 整流电路中的二极管应满足条件:最大整流电流IFM 应大于负载电流;二极管最大反向工作电压应大于u2 (t)的峰值电压 为了管子安全工作,在选择二极管时,应考虑1.5?2倍的裕量 5.3.2 单相桥式整流电路 1.单向桥式整流电路的工作原理 单相桥式整流电路的波形 2.负载上的直流电压Uo和直流电流Io的计算 将桥式整流电路的输出电压波形与半波整流电路的输出电压波形相比较,显然整流电路的直流电压Uo比半波整流时增加了一倍 负载电阻中直流电流同样增加了一倍,即 3.整流元件参数的计算 因二极管D1、D3和D2、D4是两两轮流导通的,故流过每个二极管的平均电流为Io的一半;二极管在截止时管子两端承受的最大反向电压为u2 (t)的峰值电压 与半波整流电路相比,桥式整流电路的优点是输出电压高、纹波成分少,同时电源变压器在正、负半周均给负载供电,故电源变压器利用率高。 将脉动直流电变成较为平稳直流电的过程称为滤波。实现滤波功能的电路,称为滤波电路。滤波电路可以降低整流输出电压中的纹波成分,一般用电抗元件(电容或电感)组成。滤波电路的形式很多,常见的有电容滤波电路和电感滤波电路。滤波电路接在整流电路和负载之间。下面我们将分别来分析电容滤波电路和电感滤波电路。 5.3.3 滤波电路 1.电容滤波电路 第五章 半导体二极管及其应用电路 * 第五章 半导体二极管及其应用电路 第五章 半导体二极管及其应用电路 5.1 半导体基础知识 5.2半导体二极管 5.3 单相整流滤波电路 5.4 稳压二极管及其稳压电路 5.1 半导体基础知识 5.1.1 导体、绝缘体和半导体 5.1.2 本征半导体 5.1.3 杂质半导体 5.1.4 PN结的形成及特性 5.1.1 导体、绝缘体和半导体 硅原子结构模型 简化模型 5.1.2 本征半导体 1.晶体的共价键结构 锗原子结构模型 2. 本征半导体中的载流子 晶体的共价键结构 本征半导体中的自由电子和空穴 本征激发时电子与空穴的产生及移动 动画演示 5.1.3 杂质半导体 本征半导体中载流子的浓度与原子浓度相比仍很小,所以其导电性能还很差,不能用来制造半导体管。为了提高半导体的导电性能,就必须提高载流子的浓度,为此只要在本征半导体中掺入微量三价元素(如硼或铝)或五价元素(如磷或砷),就能产生大量的载流子。 根据掺入杂质的性质不同,将杂质半导体分为电子型(或称N型)半导体和空穴型(或称P型)半导体两大类。 在本征半导体(硅)中掺入微量五价元素磷后,可形成N型半导体。磷原子顶替掉一个硅原子而与周围的四个硅原子以共价键结合起来,五个价电子中多余的一个价电子不在共价键中,仅受磷原子核的引力作用,以至在室温条件下,就能挣脱磷原子核而成为自由电子,原来的中性磷原子成为不能移动的正离子,此过程称为电离。 1. N 型半导体 五价元素给出多余的价电子,被称为施主杂质。施主杂质只产生自由电子而不产生空穴,这是与本征激发的区别。 N型半导体中自由电子的浓度远大于空穴浓度,所以称自由电子为多数载流子(简称多子),空穴为少数载流子(简称少子)。 N型半导体 在本征半导体(硅)中掺入微量三价元素铝后,可形成P型半导体。铝原子顶替掉一个硅原子而与周围的四个硅原子以共价键结合起来。三价元素只有三个价电子而在共价键中留下一个空位,即空穴。当邻近的电子填补到该空位,则使铝原子成为不能移动的负离子。 2. P型半导体 三价元素能够接收电子,被称为受主杂质。受主杂质只提供空穴不产生电子。 P型半导体中空穴的浓度远大于自由电子浓度,所以称空穴为多数载流子(简称多子),自由电子为少数载流子(简称少子)。 P型半导体 5.1.4 PN
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