5.位错与缺陷的作用及萌生.pptVIP

1.11 位错与晶体缺陷的相互作用 点缺陷在晶体中会引起点阵畸变，产生的应力场可与位错产生交互作用 位错与溶质原子的交互作用 溶质原子处于位错的应力场之中，会产生弹性交互作用 位错与溶质原子的交互作用 位错与溶质原子的交互作用 至于溶质原子能否移至理想的位置，则取决于溶质原子的扩散能力 位错与溶质原子的交互作用 科垂耳气团”（Cottrell Atmosphere） 使溶质原子与位错位置相对稳定，总应变能降低，必有W0，且|W|越大，交互作用越强烈 科垂耳气团 通常把把溶质原子与位错交互作用后，围绕位错而形成的溶质原子聚集物，称为“科垂耳气团”（Cottrell Atmosphere） 斯诺克气团 体心立方晶体中间隙原子如C、N等与螺位错切应力场发生的交互作用 位错与空位的电学交互作用 刃位错压缩区原子间距小，电子密度增大，电子能量增大，刃位错膨胀区原子间距大，电子密度小，电子能量小 位错与空位的化学交互作用 置换式固溶体中溶质原子与层错化学交互作用，形成铃木（Suzuki）气团 2．位错与空位的交互作用 空位也会引起点阵畸变，空位与位错也会发生交互作用 2．位错与空位的交互作用 空位通常被吸引到刃型位错的压缩区，或消失在刃型位错线上，使位错线产生割阶? 空位盘转化成位错环 金属从高温急冷所固定下来的过饱和空位可以聚集成空位盘 ? 位错与空位的交互作用---位错在运动过程中产生空位 异号刃型位错互毁后产生空位 螺型位错交截后移动产生空位 两相互垂直的螺型位错经交截后产生刃型割阶 带割阶的螺位错运动 位错偶 割阶高度在几个原子间距到20nm之间，位错不能拖着割阶运动 割阶的运动 3．位错的交截 位错线互相垂直刃型位错的交截 柏氏矢量互相平行的互相垂直刃型位错的交截 位错线AB和XY发生交割后 位错交截 是否产生结果由位错线与另外的位错的柏矢矢量决定，若平行，无交截结果，垂直时才有交截结果 两根相互垂直的刃型位错线交截 刃型位错与螺型位错交截 两根螺型位错的交截 值得注意的一种，如图所示 螺型位错和螺型位错的交割 螺型位错和螺型位错的交割 两根螺型位错的交截 在外力足够大且温度比较高，并且此割阶长度足够小（1~2个原子间距），此割阶可以通过攀移与主位错一道运动，并在割阶后面留下一连串空位 两根螺型位错的交截 如果此割阶长度比较大，即使在高温且外力足够大的条件下，主位错也不可能拖着割阶运动，在外力作用下，割阶发生弯曲，最终留下一个长的位错环，形成的长位错环又可分裂成小的位错环 位错交截小结 1.位错交截后产生“扭折”或“割阶” 2.7.3 位错的塞积 位错运动过程中除遇到其它位错而发生交截外，可能遇到晶界，孪晶界，相界等面缺陷障碍物而产生“塞积”现象 位错塞积群 轻微变形后的Cu-4.5Al合金中位错塞积在孪晶界 塞积群特点 （1）被塞积的位错群都是同号的刃型位错，位错之间相互排斥 塞积群位错排列 塞积位错达到n后，外加力与塞积群反作用力相平衡，外力不足以开动位错源 塞积群位错排列 经计算，塞积群中任一位错i距障碍物的距离xi（n很大时）为 障碍物对塞积群的反作用力 障碍物对塞积群的反作用力与塞积群中的位错数目成正比 障碍物对塞积群的反作用力 按虚功原理 障碍物对塞积群的反作用力 障碍物与领先位错间的作用力是外加分切应力的n倍，所以在障碍物处产生很大的应力集中，这样可能出现三种情况 2.8 位错的萌生与增值 位错的萌生与增值 位错的萌生与增值 高温下晶体中都含有大量的空位，当冷却较快时，将会保留下来形成过饱和空位凝聚空位片 2.8 位错的萌生与增值 2.8.2 晶体中位错的增殖 弗兰克-瑞德（Frank-Read）源 F-R机制的基点是通过位错的一端或两端被固定在滑移面上的一段位错线的运动行为来阐明位错的增殖机制 Frank-Read源 开动F-R源所需的分切应力 晶格阻力 开动F-R源的实质是位错的滑动 位错源弯曲的切应力 位错源弯曲的切应力 F-R源 其他方式的位错增殖机制 除了F-R源增殖机制外，还有其他方式的位错增殖机制，例如攀移机制，双交滑移机制等 单轴位错的L形位错增殖过程 位错蜷线的形成 CaF2中蜷线位错照片 双交滑移的位错增殖机制图 双交滑移位错增殖机制形成方形位错环 在晶体内部的滑移面上有一位错源，在外力τ0作用下产生一个刃型位错，它在外力作用下沿滑移面往前移动，若在前端遇到障碍物时，位错就会阻塞在障碍物前 位错源不断地产生其他位错，这些位错同样阻塞在障碍物之前，形成一个塞积群 （2）整个位错塞积群对位错源有一个反作用力，塞积群所含有的位错数目越多，反作用力则越大 （3）整个塞积群挤在障碍物处，障碍物会受到很大的挤压力，当这个力大到一定值时，就会把障碍物“冲垮”，这意味着晶