清华大学模拟电子技术基础精华版.pptVIP

Bipolar Junction Transistor(BJT) 2.1.1 结构与符号 2.1.2 工作原理 2.1.3 特性曲线 2.1.4 参数 2.1.5 工作状态及偏置电路 2.1.6 基本要求 2.1.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol) 两种: NPN PNP 外部条件？ 另有支流： IEP 、ICBO 四、放大作用 2.1.3 特性曲线 2.1.4 参数 分为三大类: 1. ICBO O(Open) 2.共基~ α=?IC/?IE? VCB=const (3)极限参数 ①ICM IC上升时 ?会下降。 ?下降到放大区?值的2/3时所对应的集电极电流。 ③反向击穿电压（V(BR)XXO） 1.V(BR)CBO—— E极开路时的 集电结击穿电压。 表02.01 双极型晶体管的参数 (2) 输出特性曲线 方程： iC=f(vCE)? iB=const 曲线? 饱和区 放大区 截止区 发射结 集电结 正偏 正偏 正偏 反偏 反偏 反偏 三区偏