《数字电子技术基础教学课件》上课用第七章_清华.ppt

第七章 半导体存储器 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、 UVEPROM－－－用紫外线擦除的PROM 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 7.5 用ROM实现组合逻辑函数 一、基本原理 7.3 随机存储器RAM 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 二、SRAM的存储单元 7.4 RAM容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件 刘伯恕 福州大学电气工程与自动化学院 电工电子教学中心 7.1 概述 半导体存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据） 的半导体器件。 只能读出不能写入,断电不失 有时往里写数，有时往外读数,断电即失 详细分类： 掩模ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 随机存储器RAM 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM UVEPROM EEPROM 只读存储器ROM Flash Memory 电可擦除 紫外线擦除 快闪存储器 生产出来内容固定 用户无法改变 只可以一次编程，现在不大用 可多次编程，用得多 7.2 只读存储器(ROM) 7.2.1 掩模ROM 又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。 一、结构 存储矩阵：分为N行，M列，交点是存储单元（下面会讲），存储单元里可以存1或0 地址译码器：是二进制译码器。输入 是”地址输入”，n位，输出是N=2n位,每一个输出对应着存储矩阵的一行。对应于不同的地址，输出中就有一根有效（有效可以是低电平也可以是高电平）。输出线是存储矩阵的输入线，称为字线。 选中了一根字线，就选中了这根字线上的存储单元。 存储矩阵的输出，称为位线。选中的存储单元的数，通过位线送出去。 工作过程： 来一组地址码，选中一根字线，字线所对应的存储单元的数据，从位线上送出来。 输出是什么，取决于各个存储单元存的数。 如果地址n＝10位，数据输出8位，ROM矩阵的容量？ 存储器的容量：“字数 ?位数” 二、存储器的容量 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 如：字线W0与位线有四个交叉点， 其中与位线d0和d2交叉处接有 二极管。当选中W0（设为高电平） 字线时，两个二极管导通， 使位线d0和d2为“1”，这相当于 接有二极管的交叉点存“1”。 存储单元： 储存单元：除了可由二极管构成外，还可由双极性三极管或MOS管构成。 交叉点处接有二极管时，相当于存“1”； 交叉点处没有接二极管时，相当于存“0”； ROM中的存储数据表 W0 W1 W2 W3 d0 d1 d2 d3 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 数据 利用存储器件的导通或截止来存储一位二进制数。 ROM中的存储数据: 存储矩阵的 点阵图 W3=A1A0 W2=A1A?0 W1=A?1A0 W0=A?1A?0 A1 A0 地 址 译 码 器 d3 d2 d1 d0 简化的 ROM存储矩阵阵列图： 从点阵图得输入输出关系： 不关心内部怎么构成，只关心存0还是存1：点个“?”，存入1；没有“?”，存入0 A0 A1 d0 d1 d2 d3 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 A0 A1 d0 d1 d2 d3 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1