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ARRAY製程 物質四態 1蝕刻技術分類 WET etching -溼蝕刻技術 DRY etching -乾蝕刻技術 FAB II 蝕刻機斜式搬送 FAB II 蝕刻機斜式搬送 FAB II 蝕刻機斜式搬送 傾斜式搬送純水用量 剝膜目的 將已經蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之光阻去除之工程 剝膜液的性能 PECVD 簡介 PECVD應用： 非晶矽膜 (a-Si) PECVD應用：氮化矽 (Silicon Nitride)SiNx Gate Driver Source Driver Array面板訊號傳輸說明 G1 G2 G3 Gm Gm-1 S1 S2 S3 Sn-1 Sn Source 線 儲存電容 Gate 線 液晶電容 TFT Array面板說明 com ITO CLC * * 光罩製程步驟 基板 成膜 光阻 光罩 光源 曝到光部份可 被顯影液溶解 剝膜後圖案形成 顯影 蝕刻 A A’ A A’ 1. GE製程 璃 板 玻 基 Gate成膜 Al:2500? Gate蝕刻 Al:2500? 閘極(Gate):2300? 2. SE製程 GI成膜 SiNx:3000? GI成膜 SiNx:1000? 閘極絕緣層(SiNx):3000?+1000? a-Si成膜 a-Si:1500? 半導體層(a-Si):1600? n+成膜 n+ :300? 歐