电力电子技术器件的分类.docxVIP

1.1不可控器件电力二极管功率二极管是开通与关断均不可控的半导体开关器件，其电压、电流定额较大，也称为半导体电力二极管。1.2功率二极管的结构和工作原理与普通二极管相比，工作原理和特性相似，具有单向导电性。在面积较大的PN结上加装引线以及封装形成，主要有螺栓式和平板式。 1.3功率二极管的基本特征1) 静态特性 主要指其伏安特性1.门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。2.与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。3.承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。2) 动态特性功率二极管通态和断态之间转换过程的开关特性。1.二极管正向偏置形成内部PN结的扩散电容。此时突加反向电压，二极管并不能立即关断。当结电容上的电荷复合掉以后，二极管才能恢复反向阻断能力，进入截止状态。 2.二极管处于反向偏置状态突加正向电压时，也需要一定的时间，才会有正向电流流过，称为正向恢复时间。 1.4功率二极管的主要参数1．额定正向平均电流IF（AV）——在规定的管壳温度和散热条件下，功率二极管长期运行时允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 2.反向重复峰值电压URRM ——功率二极管反向所能承受的重复施加的最高峰值电压。 3.正向管压降 UF ——功率二极管在规定的壳温和正向电流下工作对应的正向导通压降。 4.最高允许结温 TjM——结温（Tj）是管芯PN结的平均温度，最高允许结温（TjM）是PN结正常工作时所能承受的最高平均温度。1.5功率二极管的主要类型1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路其反向恢复时间较长正向电流定额和反向电压定额可以达到很高2) 快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）简称快速二极管 快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其trr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。3. 肖特基二极管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——SBD）。反向恢复时间很短（10~40ns）多用于200V以下。2.1半控型器件晶闸管普通晶闸管也称做硅可控整流器（Silicon Controlled Rectifer，SCR）。它是一种半控型开关器件，工作频率较低，是目前电压、电流定额最大的电力电子开关器件。2.2晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和平板型两种封装。有三个连接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。晶闸管导通的原理可用晶体管模型解释，由图得：式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 会迅速增大（形成强烈正反馈所致）。阻断状态：IG=0，(1+2)很小，IA≈IC0，晶闸管处于正向阻断状态。开通状态：随IG增加，晶体管的发射极电流增大，以致(1+2)趋近于1的话，阳极电流IA将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。2.3晶闸管的基本特性1.开关特性：1）开通过程：延迟时间td (0.5~1.5s) 上升时间tr (0.5~3s) 开通时间tgt以上两者之和。2）关断过程：反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq以上两者之和tq=trr+tgr普通晶闸管的关断时间约几百微秒2.静态特性：1）正向特性：IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压UBO，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。2）反向特性：反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。3．晶闸管正常工作时的特性：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。2.4晶闸管的主要参数1．电压定额：断态重复峰值电压UDRM——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压URRM——在门极断路而结温为额定值时，允许重