电力电子课后习题作业讲解.docVIP

第二章 电力电子器件 4. 图1-1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 图1-1 晶闸管导电波形 解：a) Id1==()0.2717 Im I1==0.4767 Im b) Id2 ==()0.5434 Im I2 ==0.6741I c) Id3== Im I3 == Im 5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少? 解：额定电流I T(AV) =100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知 a) Im1329.35A， Id10.2717 Im189.48A b) Im2232.90A, Id20.5434 Im2126.56A c) Im3=2 I = 314A, Id3= Im3=78.5A 6. GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益和，由普通晶闸管的分析可得，+=1是器件临界导通的条件。+＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；+＜1，不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： 1) GTO在设计时较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断； 2) GTO导通时的+更接近于1，普通晶闸管+1.15，而GTO则为+1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3) 多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 第三章整流电路 5．单相桥式全控整流电路，U2=200V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=100V，当?=45(时，要求： 作出ud、id和i2的波形； 求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2； 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解：①ud、id和i2的波形如下图： ②整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2分别为 Ud＝0.9 U2 cosα＝0.9×200×cos45°＝127.28(A) Id ＝(Ud－E)/R＝(127.28－100)/2＝13.64(A) I2＝Id ＝13.64(A) ③晶闸管承受的最大反向电压为： U2＝200＝282.8（V） 流过每个晶闸管的电流的有效值为： IVT＝Id ∕＝9.64（A） 故晶闸管的额定电压为： UN＝(2~3)×282.8＝565.6~848.4（V） 晶闸管的额定电流为： IN＝(1.5~2)×9.64∕1.57＝9.21~12.28（A） 晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 11．三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当?=60(时，要求： 画出ud、id和iVT1的波形； 计算Ud、Id、IdT和IVT。 解：①ud、id和iVT1的波形如下图： ②Ud、Id、IdT和IVT分别如下 Ud＝1.17U2cos?＝1.17×100×cos60°＝58.5（V） Id＝Ud∕R＝58.5∕5＝11.7（A） IdVT＝Id∕3＝11.7∕3＝3.9（A） IVT＝Id∕＝6.755（A） 13．三相桥式全控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当?=60(时，要求： 画出ud、id和iVT1的波形； 计算Ud、Id、IdT和IVT。 解：①ud、id和iVT1的波形如下： ②Ud、Id、IdT和IVT分别如下 Ud＝2.34U2cos?＝2.34×100×cos60°＝117（V） Id＝Ud∕R＝117∕5＝23.4（A） IDVT＝Id∕3＝23.4∕3＝7.8（A） IVT＝Id∕＝23.4∕＝13.51（A） 14．单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，E=40V，U2=100V，LB=0.5mH，当?=60(时求Ud、Id与??的数值，并画出整流电压ud的波形。 解：考虑LB时，有： Ud＝0.9U2cosα－