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7半导体材料全解
半导体材料 半导体材料的发展简史 半导体材料的发展趋势 半导体材料的分类 什么是半导体? 按照不同的标准,有不同的分类方式。 按固体的导电能力区分,可以区分为导体、 半导体和绝缘体。 首次报道半导体 伏特 A. Volta (1745~1827),意大利物理学家 国际单位制中,电压的单位伏即为纪念他而命名。 1800年,他发明了世界上第一个伏特电池,这是最早的直流电源。从此,人类对电的研究从静电发展到流动电,开拓了电学的研究领域。 他利用静电计对不同材料接地放电,区分了金属,绝缘体和导电性能介于它们之间的“半导体”。 他在给伦敦皇家学会的一篇论文中首先使用了“Semiconductor”(半导体)一词。 半导体的特有性质-负电阻温度系数 法拉第 M. Faraday (1791~1867),英国物理学家、化学家,现代电工科学的奠基者之一。 电容的单位法(拉)即为纪念他而命名。 法拉第发明了第一台电动机,另外法拉第的电磁感应定律是他的一项最伟大的贡献 。 1833年,法拉第就开始研究Ag2S半导体材料,发现了负的电阻温度系数,即随着温度的升高,电阻值下降。 负电阻温度系数是半导体材料的特有性质之一。 正、负电阻温度系数 负电阻温度系数 正电阻温度系数 半导体的特有性质-光电导效应 1873年,英国史密斯W.R. Smith用光照在硒的表面,发现了硒的光电导效应,它开创了半导体研究和开发的先河。 所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。 光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电导效应是半导体材料的特有性质之二。 光电导示意图 半导体的特有性质-整流效应 布劳恩 K.F. Braun (1850~1918),德国物理学家。 布劳恩与马可尼共同获得1909年度诺贝尔奖金物理学奖。 1874年,他观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导通,这就是半导体的整流效应。 整流效应是半导体材料的特有性质之三 伏安特性 半导体特有性质-光生伏特效应 1876年,英国物理学家亚当斯(W.G. Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生了电动势,这就是半导体光生伏特效应。 光生伏特效应最重要的应用就是把太阳能直接转换成电能,称为太阳能电池。 1954年美国贝尔实验室制成了世界上第一个实用的太阳能电池,效率为4%。 光生伏特效应是半导体材料的特有性质之四。 光生伏特效应 半导体的特有性质-霍尔效应 1879年,霍尔(E.H. Hall) 在研究通有电流的导体在磁场中受力,发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势,这个电磁效应称为“霍尔效应”。 “霍尔效应”就是为纪念霍尔而命名的。 利用“霍尔效应”可以测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。 霍尔效应是半导体材料的特有性质之五。 霍尔效应示意图 半导体发展的限制 在1880年就发现了半导体材料的五大特性: 整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应 但半导体科学却没有取得迅猛的发展,主要原因在于: (1)半导体理论的发展背景 首先取得突破的是半导体理论的发展 19世纪末,英国物理学家汤姆生在展望20世纪物理学前景时,他指出在物理学晴朗的天空里出现了两朵令人不安的“乌云”,第一朵“乌云”出现在光的波动理论上,第二朵“乌云”就是黑体辐射。 黑体辐射 被加热的物体开始时会发出红光,随着温度上升,光的颜色逐渐由红变黄又向蓝白色过渡,这种以电磁波的形式向外传递能量的现象就叫热辐射。 为了从理论上总结热辐射规律,19世纪物理学家导出了热辐射物体的能量按发光波长分布的两个公式:维恩公式和瑞利-金斯公式。 然而,这两个公式算出的结果,不是在长波方面就是在短波方面与实验结果不符,物理学家为此伤透了脑筋。 这两朵乌云给物理学界带来了革命风暴,使物理学家发现了“新大陆”——“量子论”和“相对论”,将人类对物质世界的认识向前推进了一大步。 量子论---半导体的能带理论密切相关 普朗克的辐射量子说 1900年,普朗克提出辐射量子假说 假定电磁场和物质交换能量是以间断的形式(能量子)实现的,能量子的大小同辐射频率成正比,比例常数称为普朗克常数,从而得出黑体辐射能量分布公式,成功地解释了黑体辐射现象。 辐射能量和温度的关系 爱因斯坦的光子量子说 1905年,爱因斯坦发展了普朗克的量子说,提出光在空间的传播也像粒子一样,称为光子或者光量子。 单个光子的能量为 玻尔的原子量子模型 1913年,玻尔在卢瑟福有核原子模型的基础上建立起原子的量子理论 。 原子中的电子只能在分立
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