模拟电子之半导体器件解析.pptVIP

集－射反向击穿电压U(BR)CEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。 U(BR)CEO O uCE iC 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流IC超过一定值时，? 值要下降，当? 降到原来值的2/3时，对应的IC称为ICM。 ICM 集电极最大允许耗散功率PCM 集电结允许工作的最高温度时消耗的功率。 U(BR)CEO O uCE iC ICM 安全工作区 UCEIC=PCM 过 损 耗 区 1.4 场效应三极管 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 场效应管 FET 结型JFET 绝缘栅型MOSFET (IGFET) UGDUGS(off) 时，UGS对iD的控制作用 UGD=UGS-UDSUGS(off)时，UDS再增加，iD不再增加。此时，可通过改变UGS来控制iD的大小。∣UGS∣减小，iD增加。故称场效应管为电压控制元件（VCCS）。 场效应管用低频跨导gm来描述动态栅源电压对漏极电流的控制作用。 小结： （1）当 uGD＝uGS－uDSUGS(off) 时，导电沟道未出现夹断，对应不同的 uGS ，d－s 间可等效不同的电阻； （2）当 uGD＝ UGS(off) 时，导电沟道出现预夹断； （3）当 uGD＝uGS－uDSUGS(off) 时，导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 （4） PN 结反偏，iG ≈ 0。 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107Ω以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅型场效应管可以很好地解决这些问题 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 绝缘栅型场效应管 (MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS=0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS=0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ SiO2 源极 s 漏极 d 衬底引线 B 栅极 g s g d B + + N N P型衬底 工作原理 uDS uGS uGS＝0，uDS0 两个PN结背靠背，不存在导电沟道，即iD＝0； uDS＝0，uGS0 uGS排斥SiO2附近得空穴，剩下不能移动的离子，形成耗尽层； 宽，衬底的自由电子吸引到耗尽层预绝缘层之间，形成一个N型薄层，即反型层，也是d－s之间的导电沟道； 随着uGS增大，耗尽层加 开启电压UGS(th)(UT)：刚刚形成反型层的uGS电压。 + + N N P型衬底 uDS uGS uGSUGS (th) ，uDS0 由于有导电沟道，会产生漏极电流iD； iD 导电沟道存在电位梯度，导电沟道不均匀，沿着s→d方向逐渐变窄； 当uGD＝UGS(th)时，导电沟道出现预夹断； 当uGDUGS(th)时，导电沟道出现夹断； 此时，iD的大小与uDS无关，由uGS控制，恒流区。 当uGDUGS(th)时，uDS增大，iD也增大，可变电阻区； 特性曲线 转移特性 UGSUGS(th)，iD=0； UGS ≥UGS(th)，形成导电沟道，随着UGS的增加，ID逐渐增大。 (当 UGS UGS(th) 时) UGS(th) 2UGS(th) IDO uGS /V iD /mA 0 输出特性 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 iD/mA uDS /V 0 夹断区 UGS增加 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 预先在SiO2中掺入大量的正离子，使uGS＝0时，在正离子的作用下也能形成反型层。 - - g s N+ d B N+ + + + + + + + + + + + + P型衬底 uGS为正时，反型层变宽；反之，反型层减小。 夹断电压UGS(off)：反型层消失时的uGS，