微电子研究所研究生入学考试试题【参考】.docVIP

北京理工大学 硕士研究生入学考试试题集 谢君堂编 信息与电子学院 2009-6-30 北 京 理 工 大 学 总号：032 （原北京工业学院） 分号：05——06 一九九九年研究生入学考试 半导体物理学 试题 请统考考生答（1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）（8）（10）（12）十题；请单独考生答（1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）（9）（11）（13）十题。 （1）（12分）解释下列名词： a.直接跃迁与间接跃迁； b.直接复合与间接复合； c.费米能级与准费米能级 （2）（12分）说明以下几种效应及其物理机制，并说出其可能的应用： a.霍耳效应； b.光生伏特效应； c.压阻效应。 （3）（8分）请按照你的看法，写出半导体能带的主要特征是什么？ （4）（8分）请你根据对载流子产生与复合过程的分析，得出在热平衡条件下，两种载流子浓度的乘积等于恒量（不需要通过对载流子浓度的计算）。 第1页 共3页 北 京 理 工 大 学 总号：