（精）信号转换I 模拟开关采样保持电路.pptVIP

* P沟道增强型MOSFET开关（绝缘栅型） P沟道增强型MOSFET衬底B接高电位才能正常工作 VGS小于VT的绝对值, 场效应管不能导通。 * CMOS开关电路：将一个P沟道、N沟道的增强型MOSFET并联构成 当uGN=+E, uGP=-E，两管均导通； 当uGP=+E, uGN=-E，两管均截止； 两管Ron变化特性相反，可以互补，等效电阻恒定 CMOS开关电路 Ron—ui特性 * 静态特性：主要指开关导通和断开时输入端与输出端之间的电阻Ron和Roff,此外还有最大开关电压、最大开关电流和驱动功耗等。 （三）、模拟开关的性能参数 动态特性：开关动作延迟时间，包括开关导通延迟时间Ton和开关截止延迟时间Toff, 通常TonToff, 理想模拟开关时Ton→0，Toff→0 * 元件性能的影响和要求 为了得到高质量的采样保持电路，场效应模拟开关的速度应快，极间电容，夹断电压或开启电压，导通电阻和反向漏电流等参数都应小。 实际的场效应模拟开关模型 1 当闭合时,相当一个小电阻 (如DG403, RON30欧姆) 2 当断开时,相当一个小的电容 (如DG403;约0.5PF) 3 当断开时,还存在一定量的泄漏电流(DG403;0.5NA) * MOS开关 MOS采样电路 采样模式时的等效电路 ＭＯＳ开关在“开”状态，存在一定的电阻；