3周梦华英文译本.docxVIP

译 文原文题目：Defect-induced conductivity anisotropy in MoS2 monolayers 译文题目：二硫化钼膜缺陷引起的电导率各向异性 学 院： 理学院 专业班级： 12级应用物理学02班 学生姓名： 周梦华 学 号： 41208020222 二硫化钼膜缺陷引起的电导率各向异性马蒂股尔巴尼—阿塞勒1， 安德雷恩亚森2，3，阿格尼兹卡库克1，戈特哈德塞弗特2托马斯海因11工程与科学学院，不莱梅雅各布大学，不莱梅校园环1，28759，德国2物理化学，德累斯顿工业大学，01062山路66b德累斯顿，德国3固态化学研究所，澳洲巴拉瑞特大学皇家天文协会，五一道俄罗斯叶卡捷琳堡。（收稿2013年10月4日，公布2013年12月26日）在单层二硫化钼的各种类型的缺陷和它们对电子结构的影响以及输运性质已被研究使用，使用的方法是与格林函数方法相结合的密度函数为基础的紧束缚法。在单层二硫化钼的内在缺陷显著影响其电子性能。即使在低浓度，他们也大大改变量子电导率。在原始的二硫化钼上电子转移实际上是的各向同性的，各向异性是存在缺陷的观察。局部的带隙位置是半导体二硫化钼电子态观察，发现不利于导电但方向相关的散射电流，并指出，在线缺陷和选定的晶界模型的电导率是强烈的降低的。一、引言石墨烯1的崛起推出二维时代的（2D）电子设备