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DARM的基本工作原理 林振华??内容头导览：｜前言｜DRAM的工作原理｜记忆单元｜感应放大器｜　 ? ? ? ? 前言 由于信息科技的带动使得半导体内存的技术突飞猛进，尤其这三十几年来DRAM由最早期的1K DRAM到目前的512M DRAM不论是记忆容量的增加、访问速度的提升、每单位位的成本降低等改变速度都非常快速，因此DRAM的相关技术无疑已经是半导体技术的领先指标了。然而，自4K DRAM改用单一晶体管+电容的记忆单元结构以来基本记忆单元(Memory Cell)的结构特性并未改变太多，因此虽然目前记忆容量已经增加到512M以上，然而DRAM的基本工作原理仍然是没有太大改变。　 ? ? ? ? DRAM的工作原理DRAM的结构MOS DRAM的标准架构如图1所示，每个记忆单元可储存一个位的数字数据0或1，记忆单元藉由行(row)与列(column)方式的排列形成二次元数组，假设由n行和m列的记忆单元所排列成的二次元数组时可以构成n×m=N位内存。当数据写入或由记忆单元中读取时，是将记忆单元的地址输入行和列地址缓冲器(address buffer)，并利用行译码器(row decoder)选择n条字符线(word line)中特定的一条，每一条字符线会与m条位线(bit line)和m位的记忆单连接，位线与记忆单元之间具有一个感应放大器放大储存在记