（精）第二章半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

2.1 Si、 Ge中的杂质能级 重点和难点 施主杂质、施主能级、n型半导体； 受主杂质、受主能级、p型半导体； 施主杂质和受主杂质的电离能; 杂质的补偿作用； 浅能级杂质和深能级杂质 二、N 型半导体： 本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自 由电子浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（电子半导体）。 一、受主杂质： 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。 把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA 2.当NA 》ND 时 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级后，受主能级上还有NA – ND空穴，它们可以跃迁入价带成为导电空穴，所以p= NA – ND ,半导体是p型的。 不容易电离，对载流子浓度影响不大 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低（在第五章详细讨论）。 深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 等电子杂质----是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。 如：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bi 由