P型半导体中的少数载流子.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 例：已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。 试求二极管的静态工作电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。 求在室温300K时，D的小信号交流等效电阻r交 。 C R 1K E 1.5V + VD － + vi(t) － 解： * 例：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。 解： Vi 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。 * 低电压稳压电路 稳压电源是电子电路中常见的组成部分。利用二极管的正向压降特性，可以得到一种稳压性能较好的低电压的稳压电路。 * 例 在低电压稳压电路中，直流电源电压vI的正常值为10V，R=10k?，若vI变化?1V时，问相应的硅二极管电压(输出电压)的变动如何。 解：(1)当vI=10V时，利用二极管恒压降模型有 由此可得二极管Q点上的电流为： (2)在此Q点上，计算二极管的微变电阻内为 * 解答 (3) 当vI有?1V的波动，它可视为一峰-峰值为2V的交流信号，该信号作用于由R和rD组成的分压器上。显然，相应的二极管的信号电压，可按分压比来计算，即 * 二极管整流 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止 负半周 D2、D4导通 D1、D3截止 求整流电路的输出波形。 解： * §3-5特殊二极管 除普通二极管外，还有若干种特殊二极管，如齐纳二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管和激光二极管等 * 齐纳二极管 齐纳二极管又称稳压管，是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管。 管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度大，区域很窄，容易形成强电场。当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿。 Vz表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。电流增量?Iz很大，只引起很小的电压变化?Vz。曲线愈陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好。 * IR IZ Io 稳压管的稳压过程。 RL Io IR Vo IZ IR Vo * 变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的二极管称为变容二极管。 不同型号的管子，其电容最大值可能是5-300PF。最大电容与最小电容之比约为5:1。变容二极管在高频技术中应用较多。 * 肖特基二极管 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示。 * 肖特基二极管结构与符号 (a)结构示意图； (b)电路符号 * 光电二极管 光电二极管的结构与PN结二极管类似，但在PN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。 器件的PN结在反向偏置状态下运行，反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流与照度成正比，灵敏度的典型值为0.1?A/lx数量级。 光电二极管可用来作为光的测量，是将光信号转换为电信号的常用器件。 * 发光二极管 发光二极管通常用元素周期表中III、V族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成。 通电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。光谱范围是比较窄的，其波长由所使用的基本材料而定。 * 光电器件应用 发光二极管的一种重要用途是将电信号变为光信号，通过光缆传输，然后再用光电二极管接收，再现电信号。 * 激光二极管 激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。 在正向偏置的情况下，LED结发射出光，并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励，从结上发射出单波长的光。 * 作业 3.2.1、3.4.1、3.4.3、3.4.7、3.4.8、3.4.9 预习 BJT晶体管 * 教程 /~phonelee/analog/ * * * * * * * * * * * * * * * PN结V-I特性的表达式 在硅二极管PN结的两端，施加正、反向电压时，根据理论分析，PN结的V-I特性可表达为 式中iD为通过PN结的电流，VD为PN结两端的外加电压，VT为温度的电压当量=kT/q=0.026V =26mV，k为波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K)，T为热力学温