第7章 半导体存储器答题.ppt

7.2 只读存储器（ROM） 四. 其它类型存储器简介 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 　 （3）RAM的存储单元按工作原理分为： 静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。 2. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介 采用CMOS工艺制成，存储容量为8K×8位，典型存取时间为100ns、电源电压＋5V、工作电流40mA、维持电压为2V，维持电流为2μA。 8K=213，有13条地址线A0~A12； 每字有８位，有８条数据线I/O0～I/O7； 图7-10 6264引脚图 四条控制线 　　表7-6 6264的工作方式表 3.　Intel2114A是1 K字×4位SRAM，它是双列直插18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。 4.　Intel 2116是16 K×1位动态存储器（DRAM），是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，采用+12V和± 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。 　　存储器的容量：字数×位数 ⑴ 位扩展（即字长扩展）：将多片存储器经适当的连接，组成位数增多、字数不变的存储器。 方法：用同一地址信号控制 n个相同字数的RAM。 * * 第7章 半导体存储器 7.4 存储器容量的扩展 7.3 随机存储器（RAM） 结束 放映 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.5 用存储器(ROM)实现组合逻辑函数 第7章 半导体存储器 　　本章内容： 　　随机存储器RAM和存储器ROM的结构、工作原理及存储器容量扩展的方法； 存储器的应用 7.1　概　述 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 7.1 概述 　　数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是存储器。 　　穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 　　半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。 　　半导体存储器按照内部信息的存取方式不同分为两大类： 　　1、只读存储器ROM。用于存放永久性的、不变的数据。 　　2、随机存储器RAM。用于存放一些临时性的数据或中间结果，需要经常改变存储内容。 一. 固定ROM 　　只读存储器所存储的内容一般是固定不变的，正常工作时只能读数，不能写入，并且在断电后不丢失其中存储的内容，故称为只读存储器。 ROM组成： 地址译码器 存储矩阵 输出电路 图7-1 ROM结构方框图 地址译码器有n个输入端，有2n个输出信息，每个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一个字，共有2n个字（W0、W1、…W2n-1称为字线）。 每个字有m位，每位对应从D0、D1、…Dm-1输出（称为位线）。 存储器的容量是2n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管来实现。 图7-2 二极管ROM 　图7-3 字的读出方法 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接入或不接入相应的二极管来决定的。 存储矩阵 为了便于表达和设计，通常将图7-2简化如图7-4 所示。 图7-4 4×4 ROM阵列图 有存储单元 地址译码器 图7-2 二极管ROM 　　在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编程。 二．可编程只读存储器（PROM） 　　图7-4 PROM的可编程存储单元 三．可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM。 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被SiO2绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于导通状态，源极－漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止，源极－漏极间可视为开路，所存信息是1。 图7-5 浮置栅EPROM (a) 浮置栅MOS管的结构 (b) EPROM存储单元 带负电 -导通 -存0