化合物半导体器件第五章金属半导体场效应晶体管讲述.pptVIP

* 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 金属半导体肖特基接触 MESFET HEMT 第五章 金属半导体场效应晶体管 场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 （JFET） 金属－半导体场效应晶体管 （MESFET） MOS 场效应 晶体管（MOSFET） 场效应晶体管（Field Effect Transistor, 缩写为FET）是一种电压控制器件，其导电过程主要涉及一种载流子，也称为 “单极”晶体管 场效应晶体管的分类 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.1 能带结构 5.1 （a）接触前的金属半导体能带图，真空能级处处相同，而费米能级不同；（b）接触后的金属半导体能带图，费米能级处处相同 1) 势垒高度 以金属/n型半导体接触为例 图5.2形成整流接触的两种情况： （a）ФmФs，n型半导体；（b）ФmФs，p型半导体；（c）肖特基接触I-V特性 5.1 金属半导体肖特基接触 2) 阻挡层 3)反阻挡层 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.2 基本模型-整流理论 图5.5 外加偏压时肖特基接触的能带图（a）正向偏压，（b）反向偏压 1) 外加电压 以金属/n型半导体接触为例 5.1 金属半导体肖特基接触 图5.6 载流子通过肖特基势垒的输运过程 1、电子从半导体出发，越过势垒顶部热发射到金属中；2、电子穿过势垒的量子隧穿效应； 3、在空间电荷区的复合；4、空穴从金属注入半导体，等效于半导体中性区的载流子的复合。 2) 电流模型 ①扩散模式：（适于厚的阻挡层） ②热电子发射模式：（适于轻掺杂、薄阻挡层） 隧道效应：（引起势垒高度降低） 镜像力效应：（势垒顶向内移动，使势垒降低） 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.3 肖特基二极管 1) 相同之处 2) 不同之处 3) 应用 与pn结二极管相比 2) 如何实现 1) 定义： 5.1.4 欧姆接触 金属半导体肖特基接触 MESFET HEMT 第五章 金属半导体场效应晶体管 5.2 MESFET 5.2.1器件结构 1) 3个金-半接触 2) 器件结构参数 5.2 MESFET 5.2.2 工作原理 1) 偏置电压 2) 沟道电阻 3) 输出特性：①VGS=0,VDS0; 以耗尽型n沟MESFET为例 沟道未夹断前：线性区 5.2 MESFET 沟道刚被夹断：饱和电压VDsat 沟道夹断后：饱和区 3) 输出特性：①VGS=0,VDS0; 5.2 MESFET 3) 输出特性：②VGS=-1,VDS0; 4) 转移特性 5) 增强型MESFET 5.2 MESFET 5.2.3 电流-电压特性 dx 肖克莱缓变沟道近似模型 ① dy两端的电压降 ② 耗尽层宽度 1) 直流I-V特性 ③ 电流-电压关系式 5.2 MESFET 5.2.3 电流-电压特性 ④ 沟道电导 2）直流参数 ⑤ 饱和电流 ①夹断电压 ②饱和电压 ③ 最大饱和漏极电流 ④最小沟道电阻 3）交流参数 ①跨导②漏导 5.2 MESFET 5.2.4 负阻效应与高场畴 1)负阻效应:电子从Г能谷跃迁 到L能谷，μn下降。 2)高场畴： GaAs、InP和Si材料中载流子的速场关系 栅电场、载流子浓度和载流子 漂移速度与耗尽层的关系 5.2 MESFET 5.2.5 高频特性 高频小信号分析的方法 实验分析：测S参数 解析模型：从载流子输运机理出发，在器件工艺和结构 基础上，进行合理的数学描述。 数值模型：采用有限元或有限迭代方法，求解泊松方程 和电流连续性方程 5.2 MESFET 5.2.5 高频特性 等效电路：电路的端特性与器件的外部特性是等效的 特征频率fT：β=1时的工作频率 最高振荡频率fmax：共源功率增益为1时的频率 影响频率特性的因素 5.2 MESFET 5.2.6 MESFET器件结构举例 结构演变 栅结构 3) 异质结MESFET 4) GaAs材料的优点 大部分的MESFET是用n型Ⅲ-Ⅴ化合物半导体制成： 具有高的μn和较高的饱和速度，故fT很高。 * * * 化合物半导体器件