第1章_1.1气体放电的基本物理过程.ppt

* 击穿发生在波前或峰值，取此刻值 击穿发生在波尾，取峰值 未击穿 * 用实验确定间隙伏－秒特性的方法：对同一间隙，施加一系列标准波形的冲击电压，使间隙击穿，用示波器记录击穿电压U与击穿时间t。 l－0％伏秒特性； 2－100％伏秒特性； 3－50％伏秒特性； 4－50％冲击击穿电压； 5－0％冲击击穿电压 (即静态击穿电压) 伏秒特性实际分散情况 * 50％击穿电压 指在该电压下进行多次试验，气隙击穿概率为50%. 2us冲击击穿电压 指气隙在该电压下发生击穿放电，其击穿时间大于或小于2us的概率各为50%。 * 极不均匀场间隙(s1)和均匀及稍不均匀场间隙(s2)的伏秒特性 两个间隙伏秒特性交叉的情况 * 电气设备绝缘的伏－秒特性和避雷器的伏－秒特性 （a）正确配合 （b）不正确配合 绝缘的 伏－秒特性 避雷器的 伏－秒特性 （本节完） 电离与复合作用的关系 带电质点的产生：电离过程吸收能量，产生电子等带电质点，促进放电过程发展，电气强度降低，不利于绝缘； 带电质点的消失：复合过程释放能量，使带电质点减少消失，阻碍放电过程的发展，有利于保持绝缘强度。 两种过程在气体放电过程中同时存在，条件不同，强弱程度不同： 电离主要发生在强电场、高能量区；复合主要发生在低电场、低能量区。 带电质点复合过程的光辐射效应，在一定条件下也会成为二次电离的条件。 1.1.2 低气压下均匀电场的自持放电的汤逊理论与巴申定律 汤逊电子崩理论：1903年英国物理学家提出气体放电理论，尽管适用范围有限，但对放电机理的阐述具有普遍意义，至今仍是放电物理的基础理论。 外加电压很小时，气隙中的电流是由外界光电离因素造成。OA段线性，AB段饱和，良好绝缘状态，电流很小。BC段急剧上升。 放电的电子崩阶段 非自持放电和自持放电的不同特点 电流随外施电压的提高而增大，因为带电质点向电极运动的速度加快复合率减小 电流饱和，带电质点全部进入电极，电流仅取决于外电离因素的强弱（良好的绝缘状态） 电流开始增大，由于电子碰撞电离引起的 电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段（击穿） ??原因 外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素。 自持放电起始电压 非自持放电和自持放电的不同特点 电流随外施电压的提高而增大原因：带电质点向电极运动的速度加快，复合减弱，电流增加 电流饱和原因：带电质点全部进入电极，电流仅取决于外电离因素的强弱（良好的绝缘状态） 电流开始增大原因：形成电子崩，是由于电子碰撞电离引起的 电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段（击穿）原因：形成自持放电 外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素(撤掉光照射)。 自持放电起始电压 重要概念 非自持放电：电压小于U0时，取消外电离因素，间隙电流消失。 自持放电：电压大于U0时，取消外电离因素，间隙电流靠电场作用能自行维持。 电子崩：场强高达某一定值后，气体发生连续的碰撞电离，如雪崩状发展过程，电流急剧增加。U0为击穿电压。 电子碰撞电离系数α：一个电子由阴极到阳极行程中，每１cm路程与气体质点发生碰撞电离平均次数。即：单位行程内因碰撞电离而产生的自由电子数。 正离子碰撞电离系数β：可忽略。 阴极表面碰撞电离系数γ：单个正离子撞击阴极平均发射出的自由电子数。 电子崩的形成（BC段电流剧增原因） 电子碰撞电离系数α：代表一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。 电子崩内电子数的计算 γ过程与自持放电条件 一个电子从阴极到阳极因电子崩形成正离子数为 ead-1 正离子撞击阴极形成二次自由电子数为γ(ead-1) ，若它等于1，意味着阴极产生原电子的一个后继电子替身，使放电得以自持。 自持放电条件 pd 值较小的情况（汤逊） （1）汤逊自持放电判据 （2）气体击穿的巴申定律 （3）气体密度对击穿的影响 汤逊放电理论的适用范围 研究表明：汤逊理论能解释低气压、pd较小时的放电现象；当pd过小或过大时，放电机理变化，不适用。 pd过大时，汤逊理论无法解释许多实验现象。 pd过大时（大气压下）难以假释的现象： 放电外形：出现放电分支细通道，非充满放电空间。 放电时间：低气压下汤逊理论的计算值与实验符合，高气压下计算值远大于实测值。 击穿电压： pd大时，计算值与实验值差别大。 阴极材料的影响：汤逊放电及击穿电压与阴极材料有关，而高气压下间隙击穿电压基本与电极材料无关 pd 值较大的情况（流