第8章-磁畴研究.pptVIP

附录：F(d/h)函数的讨论 当d/h1时，F(d/h)函数可以展成级数形式， F(d/h)=(d/h)-(2/pi)(d/h)2+(1/4)(d/h)3… 或写成 F(x)=(x)-(2/pi)(x)2+(1/4)(x)3… 有关系式 dF/dx=1-(4/pi)(x)+(3/4)(x)2… 所以，在x=0 (d/h=0)处，dF/dx|x=0=1 综上所述，产生磁泡的条件：（1）材料具有一定的单轴各向异性 。 （3）当薄膜的厚度为h=4l时，产生磁泡的最小泡径为dmin=4l，而相应的外场 （2）外场满足 （三）多晶体的磁畴结构 在多晶中，每一个晶粒都有自己的易磁化方向，在晶粒边界处，由于晶界两侧的晶粒的取向不同，在一般情况下，在晶粒边界上会出现自由磁荷，引起退磁场能增加。因此多晶体中磁畴结构要出现稳定结构，只有相邻晶粒中磁畴取向尽可能使晶界上少出现磁荷，退磁场能才会最小。 如果晶界上存在自由磁荷，退磁场能足够高时，也会在多晶体的晶粒边界上形成一定大小的楔型附加畴。因此，多晶体中的晶粒边界也是产生附加畴的一个发源地。 三、单畴结构的计算 在大块材料中，若不形成多畴，则退磁场能很高，所以大块材料以多畴形式最稳定。多畴的大块材料只有在很强的外磁场作用下，才会磁化至饱和状态，整个材料的磁矩基本上取在一个磁化方向上（外场方向），近似一个单畴。