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第1章：绪 论 1.1 课题的提出 1.1 交流电机变频调速技术的发展概况 1.1.1 电力电子器件的发展 交流变频调速技术是建立在电力电子技术基础上的，变频器随着逆变器件的发展而发展;逆变器件朝着耐压高、电流大、调制开关频率高及集成度高等方向发展。20世纪50年代出现硅晶闸管(SCR-Silicon Controlled Rectifier), 60年代出现门极可关断晶闸管(GTO-Gate Turn-Off Thyristor), 70年代出现双极结型晶体管(BJT-BipolarJunction Transistor)和功率场效应晶体管(MOSFET-Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor), 80年代相继出现绝缘栅双极晶体管(IGBT-Insulated Gate BipolarTransistor)和集成门极换流晶闸管(IGCT-Integrated Gate Commutated Thyristor) ；90年代出现智能功率模块 (IPM-Intelligent Power Module)。 GTO是高电压大电流全控型功率器件，容量大，但关断能耗大。SCR是电流驱动器件，通态压降低，容量没有GTO大，但功耗大，调制频率不高，噪声大，现趋于淘汰中。MOSFET是电压型驱动器件，开关频率高，驱动功率小，安全工作区广，但耐压不高. IGBT是目前发展最快的一种混合型电力电子器件，其特点是栅极为电压驱动，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关损耗小，工作频率高，承受电压高，载流密度大，通态压降小，热稳定好，没有二次击穿，安全工作区大，不需缓冲电路等特点，适用于较高频率的场合。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是在短路状态都可以承受电流冲击，其不足之处是高压IGBT内阻大，导致导通损耗大，应用高中压领域时，通常需多个串联，并且过压、过热、抗冲击、抗干扰等承受能力较低。但是IGBT集BJT和MOSFET的优点于一体，是目前变频调速系统和通用变频器中使用最广泛的主流功率器件之一. IPM是先进的混合集成功率器件，由高速低功耗的IGBT和优化的门极驱动及保护电路构成，采用了有电流传感器功能的IGBT，能连续监控功率器件电流，从而实现高效的过电流保护。由于IPM集成了过热保护电路和锁定保护电路，系统可靠性得到进一步提高。目前，IPM己经在工业变频器(中、小功率)中被大量采用，随着制造工艺技术的不断改进，IPM的功率也越来越大，同时体积也越来越小。同时，经济型的IPM在近年内也开始在一些民用品如家用空调变频器、冰箱变频器、洗衣机变频器中得到应用;IPM也在向小型化、专用化、高性能化、低成本化方面发展。 1.1.2 控制策略的发展 早期变频调速系统是开环恒压频比(V/F等于常数)的控制方式, 其优点是控制结构简单、成本较低，缺点是系统性能不高。具体来说，就是其控制曲线会随着负载的变化而变化，转矩响应慢，利用率不高，低速时因定子电阻和逆变器死区效应的存在而性能下降，稳定性变差，因此这种控制方式比较适合应用于风机、水泵调速等对变频器动态性能要求不高的场合。为了提高系统的动静态性能，转差频率控制系统在V/F控制中引入速度闭环，使逆变器输出的实际角频率随着电机转子角速度同步上升或下降。与开环V/F控制相比，其加速、减速曲线更为平滑，且系统容易稳定。但转差频率控制是从异步电机的稳态等效电路和稳态转矩公式出发分析的，因而会影响系统的实际动态性能。 20世纪70年代，西德F.Blasschke 等人提出的“感应电机磁场定向的控制原理”和P.C.Custman与A.A.Clark申请的专利“感应电机定子电压的坐标变换控制”，奠定了矢量控制理论的基础。矢量控制理论的基本出发点是，考虑到异步电动机是一个多变量、强藕合、非线性的时变参数系统，很难直接通过外加信号准确控制电磁转矩;但若以转子磁通这一旋转的空间矢量为参考坐标，利用从静止坐标系到旋转坐标系之间的变换，则可以把定子电流中的励磁电流分量与转矩电流分量变成标量独立开来，进行分别控制。这样，通过坐标变换重建的电机模型可等效为一台直流电动机，从而可像直流电机那样进行快速的转矩和磁通控制。因为这种方法采用了坐标变换，所以对控制器的运算速度、处理能力等性能要求较高。近年来，围绕着矢量变换控制的缺陷，如系统结构复杂、非线性和电机参数变化影响系统性能等问题，国内外学者进行了大量的研究。在致力于发展异步电机矢量控制技术的同时，各国学者并没有放弃其它控制思想的研究。 1985年，德国鲁尔大学Depenbrock首先提出直接转矩控制理论(DTC-DirectTorque Control)。直接转矩控制与矢量控制不同，DTC摒弃了解祸的思想，取消了旋转坐标变换，简